华灿光电(苏州)有限公司张圣君获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(苏州)有限公司申请的专利改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832121B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211242847.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法是由张圣君;冯岩;王聪;王莉;訾孟飞;王江波;梅劲设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管制备方法包括：提供一外延片，所述外延片的表面具有待蒸镀区域；在所述外延片的表面形成复合胶层，所述复合胶层具有露出所述待蒸镀区域的开口，所述复合胶层包括依次层叠的负性光刻胶层和正性光刻胶层；在所述开口中蒸镀形成电极。本公开能改善电极对电流阻挡层和透明导电层的包覆性。
本发明授权改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管制备方法，其特征在于，所述发光二极管制备方法包括： 提供一外延片，所述外延片的表面具有待蒸镀区域； 在所述外延片的表面形成复合胶层，所述复合胶层具有露出所述待蒸镀区域的开口，所述复合胶层包括依次层叠的负性光刻胶层和正性光刻胶层，所述负性光刻胶层的靠近所述正性光刻胶层一侧的开口面积等于所述正性光刻胶层的靠近所述负性光刻胶层一侧的开口面积，且所述正性光刻胶层的靠近所述外延片一侧的开口面积小于所述负性光刻胶层的靠近所述外延片一侧的开口面积，所述外延片所处的反应腔的温度低于临界值时，所述负性光刻胶层的收缩程度大于所述正性光刻胶层的收缩程度；所述反应腔的温度不低于所述临界值时，所述负性光刻胶层的收缩程度小于所述正性光刻胶层的收缩程度； 在所述开口中蒸镀形成电极。
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