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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种高浪涌多级沟槽肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832061B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211739799.7，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种高浪涌多级沟槽肖特基二极管及其制备方法是由袁俊;郭飞;王宽;徐东;魏强明;黄俊;杨冰;吴畅设计研发完成，并于2022-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高浪涌多级沟槽肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，提供一种高浪涌多级沟槽肖特基二极管及其制备方法。该肖特基二极管包括依次设置的阳极、外延片和阴极。该外延片包括半导体基底和外延层。该外延层与阳极接触的一面上设置有若干个深沟槽；每个深沟槽包括n个子沟槽，每个子沟槽的宽度沿深沟槽的开口指向底部的方向逐渐减小，n为大于1的正整数。每个深沟槽的内壁和底部均设置有异质势垒层，另设有场板介质与该异质势垒层接触；且深沟槽的开口被该异质势垒层包围。深沟槽内填充有填充结构。该高浪涌多级沟槽肖特基二极管在反向阻断状态下电场屏蔽效果更好，能进一步降低金属‑半导体界面的电场，并提高器件的击穿电压、提高浪涌能力和长期工作可靠性。

本发明授权一种高浪涌多级沟槽肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高浪涌多级沟槽肖特基二极管，其特征在于，包括依次设置的阳极、外延片和阴极；所述外延片包括半导体基底和位于所述半导体基底表面的外延层；所述阴极与所述半导体基底背离所述外延层的一面接触，所述阳极与所述外延层背离所述半导体基底的一面接触；所述外延层与所述阳极接触的一面上设置有若干个深沟槽；每个所述深沟槽包括n个子沟槽，每个所述子沟槽的宽度沿第一方向逐渐减小，n为大于1的正整数；所述第一方向为所述深沟槽的开口指向底部的方向；每个所述深沟槽的内壁和底部均设置有异质势垒层，另设有场板介质与所述异质势垒层接触；所述场板介质包围所述深沟槽的开口，且所述场板介质位于所述阳极和所述异质势垒层之间；所述深沟槽的开口被所述异质势垒层包围；所述深沟槽内填充有填充结构；至少一个所述深沟槽的底部的所述异质势垒层的表面设置有欧姆接触金属层；所述异质势垒层的材料为Pt、Ni、Au、Cu中至少一种元素的P型氧化物。

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