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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种抗单粒子栅损伤的SiC基VDMOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799334B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211356503.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种抗单粒子栅损伤的SiC基VDMOSFET器件是由宋庆文;张男;汤晓燕;袁昊;兰春颖设计研发完成，并于2022-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗单粒子栅损伤的SiC基VDMOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗单粒子栅损伤的SiC基VDMOSFET器件，包括漏极、衬底和N‑漂移区，N‑漂移区上表面形成第一P+欧姆接触区和第二P+欧姆接触区，第一P+欧姆接触区内侧形成第一P型基区，第二P+欧姆接触区内侧形成第二P型基区；第一P型基区上表面形成第一N+源区，第二P型基区上表面形成第二N+源区；第一P+欧姆接触区上形成第一源极；第二P+欧姆接触区上形成第二源极；N‑漂移区上形成P+保护区和P+保护区电极；P+保护区电极两侧设置有第三源极和第四源极；第一源极与第三源极之间、第二源极与第四源极之间分别设置栅介质层和栅极。本发明可实现单粒子入射带来的栅氧界面过剩空穴的快速抽取，且有效抑制肖特基结的反向泄漏电流及两侧栅氧中的强电场。

本发明授权一种抗单粒子栅损伤的SiC基VDMOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子栅损伤的SiC基VDMOSFET器件，其特征在于，包括衬底1、位于所述衬底1下方的漏极2以及位于所述衬底1上方的N-漂移区3，其中， 所述N-漂移区3的上表面两侧分别离子注入形成第一P+欧姆接触区4和第二P+欧姆接触区5，所述第一P+欧姆接触区4内侧的N-漂移区3离子注入形成第一P型基区6，所述第二P+欧姆接触区5内侧的N-漂移区3离子注入形成第二P型基区7；所述第一P型基区6的上表面离子注入形成第一N+源区8，所述第二P型基区7的上表面离子注入形成第二N+源区9； 所述第一P+欧姆接触区4的上表面设置有第一源极10，所述第一源极10从所述第一P+欧姆接触区4的上表面延伸至所述第一N+源区8的上表面；所述第二P+欧姆接触区5的上表面设置有第二源极11，所述第二源极11从所述第二P+欧姆接触区5的上表面延伸至所述第二N+源区9的上表面；所述N-漂移区3的上表面中间通过离子注入形成P+保护区12，所述P+保护区12上表面设置有P+保护区电极13；所述P+保护区电极13的两侧分别设置有第三源极14和第四源极15，所述第三源极14和所述第四源极15的下表面分别与所述N-漂移区3的上表面形成肖特基接触； 所述第一源极10与所述第三源极14之间堆叠设置有第一栅介质层16和第一栅极17，所述第一栅介质层16的下表面同时与所述第一N-漂移区3、所述第一P型基区6和所述第一N+源区8接触；所述第二源极11与所述第四源极13之间堆叠设置有第二栅介质层18和第二栅极19，所述第二栅介质层18的下表面同时与所述第一N-漂移区3、所述第二P型基区7和所述第二N+源区9接触； 所述第一P+欧姆接触区4的内表面与所述第一P型基区6的外表面接触，所述第二P+欧姆接触区5的内表面与所述第二P型基区7的外表面接触； 所述第一P+欧姆接触区4的内表面与所述第一N+源区8的外表面接触，所述第二P+欧姆接触区5的内表面与所述第二N+源区9的外表面接触； 所述P+保护区12与所述P+保护区电极13具有相同的宽度，所述P+保护区电极13的两侧分别与所述第三源极14和所述第四源极15接触； 所述P+保护区12的注入深度及掺杂浓度与所述第一P+欧姆接触区4和所述第二P+欧姆接触区5均相同； 所述第一栅介质层16的两侧分别与所述第一源极10与所述第三源极14间隔开；所述第二栅介质层18的两侧分别与所述第二源极11与所述第四源极13间隔开。

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