华天科技(南京)有限公司李争获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华天科技(南京)有限公司申请的专利避免FC封装因应力产生芯片层裂纹的解决方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799170B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211605272.5，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权避免FC封装因应力产生芯片层裂纹的解决方法及其结构是由李争;王三虎;董渊博;王井强;张胡博设计研发完成，并于2022-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本避免FC封装因应力产生芯片层裂纹的解决方法及其结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种避免FC封装因应力产生芯片层裂纹的解决方法及其结构，包括以下步骤：根据再分布层生长应力光学薄膜应力模型的假设，当再分布层厚度≥10μm时，再分布层生长应力与再分布层厚度成正比，再分布层内应力随再分布层厚度的增加而增大，将再分布层厚度从10μm减小至3‑8μm以能够减少对芯片线路层的应力；其工艺方法简单，有效降低再分布层薄膜内应力对产品的影响，避免了芯片金属层裂纹异常导致失效的问题出现，有效避免硅基芯片的结构损坏造成产品失效的损失。
本发明授权避免FC封装因应力产生芯片层裂纹的解决方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种避免FC封装因应力产生芯片层裂纹的解决方法，其特征在于，包括以下步骤：根据再分布层生长应力光学薄膜应力模型的假设，当再分布层厚度≥10μm时，再分布层生长应力与再分布层厚度成正比，再分布层内应力随再分布层厚度的增加而增大，将再分布层厚度从10μm减小至3-8μm以能够减少对芯片线路层的应力；所述再分布层与氧化层的线路连接处无拐角；所述再分布层为在硅基体上电沉积的铜薄膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华天科技(南京)有限公司，其通讯地址为：211806 江苏省南京市浦口区桥林街道丁香路16号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励