浙江驰拓科技有限公司张文彪获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利电压调控的磁性存储单元及磁性存储器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115762592B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111029362.X,技术领域涉及:G11C11/15;该发明授权电压调控的磁性存储单元及磁性存储器是由张文彪;石以诺;孟皓;迟克群;冯向;李州设计研发完成,并于2021-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本电压调控的磁性存储单元及磁性存储器在说明书摘要公布了:本发明提供一种电压调控的磁性存储单元及磁性存储器。该磁性存储单元包括:底电极、顶电极及位于底电极和顶电极之间的磁性隧道结,磁性隧道结包括:位于底电极上方的参考层,参考层具有方向固定的垂直磁化;位于参考层上方的势垒层;位于势垒层上方的自由层,自由层具有方向可变的垂直磁化;位于自由层上方的磁性偏置层,磁性偏置层具有方向固定的垂直磁化,与自由层具有层间交换耦合;位于自由层和磁性偏置层之间的调节层,用于根据底电极和顶电极之间的电压调节自由层和磁性偏置层之间的层间交换耦合。
本发明授权电压调控的磁性存储单元及磁性存储器在权利要求书中公布了:1.一种电压调控的磁性存储单元,其特征在于,包括:底电极、顶电极及位于所述底电极和所述顶电极之间的磁性隧道结,所述磁性隧道结包括: 参考层,位于所述底电极上方,所述参考层具有方向固定的垂直磁化; 势垒层,位于所述参考层上方; 自由层,位于所述势垒层上方,所述自由层具有方向可变的垂直磁化; 磁性偏置层,位于所述自由层上方,所述磁性偏置层具有方向固定的垂直磁化,与所述自由层具有层间交换耦合; 调节层,位于所述自由层和所述磁性偏置层之间,用于根据所述底电极和所述顶电极之间的电压调节所述自由层和所述磁性偏置层之间的层间交换耦合,使得所述自由层和所述磁性偏置层形成铁磁耦合或者反铁磁耦合。
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