株式会社东芝櫛部光弘获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝申请的专利晶圆、半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210123253.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权晶圆、半导体装置及其制造方法是由櫛部光弘;西尾让司;饭岛良介;清水达雄;太田千春;须山章子设计研发完成，并于2022-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆、半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供能够提高特性的晶圆、半导体装置及其制造方法。根据实施方式，晶圆包括基板以及结晶层。所述基板包括包含SiC的多个SiC区域和设置于所述多个SiC区域之间且包含Si的SiC间区域。所述结晶层包括包含SiC的第一层和在第一方向上设置于所述基板与所述第一层之间且包含SiC的第一中间层。所述第一层以第一层浓度包含氮。所述第一中间层中的氮的第一中间层浓度比所述第一浓度高。
本发明授权晶圆、半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆，具备： 基板，包括包含SiC的多个SiC区域和设置于所述多个SiC区域之间且包含Si的SiC间区域；以及 结晶层，所述结晶层包括包含SiC的第一层和在第一方向上设置于所述基板与所述第一层之间且包含SiC的第一中间层，所述第一层以第一层浓度包含氮，所述第一中间层中的氮的第一中间层浓度比所述第一层浓度高， 所述第一层中的11－21面和与从所述第一中间层朝向所述第一层的方向垂直的平面之间的角度为4.5度以下。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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