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龙图腾网获悉泰州中来光电科技有限公司申请的专利一种钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706172B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110897851.0，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统是由沈承焕;季根华;赵影文;杜哲仁;陈嘉;林建伟设计研发完成，并于2021-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统在说明书摘要公布了：本发明涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统。该钝化接触太阳电池包括硅基体，所述硅基体的正面依次设有p+发射极、正面钝化减反膜及设于p+发射极表面并延伸至正面钝化减反膜外的正面电极，所述硅基体的背面依次设有隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、背面钝化膜和背面电极，所述掺杂多晶硅层的表面为次级陷光结构，所述背面电极经背面钝化膜设置于所述次级陷光结构的表面；背面钝化膜的厚度为40～110nm。该钝化接触太阳电池既能降低电池背面的光反射率，又能降低接触电阻，提高填充因子，且基本不会增加复合，故而能有效提高电池效率。

本发明授权一种钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统在权利要求书中公布了：1.一种钝化接触太阳电池的制备方法，所述钝化接触太阳电池包括硅基体，所述硅基体的正面依次设有p+发射极、正面钝化减反膜及设于p+发射极表面并延伸至正面钝化减反膜外的正面电极，所述硅基体的背面依次设有隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、背面钝化膜和背面电极，其特征在于：所述掺杂多晶硅层的表面为次级陷光结构，所述背面电极经背面钝化膜设置于所述次级陷光结构的表面；所述背面钝化膜的厚度为40～110nm； 所述钝化接触太阳电池的制备方法，包括以下步骤： 步骤S1，在所述硅基体的正面制备所述p+发射极； 步骤S2，在所述硅基体的背面制备所述隧穿氧化层； 步骤S3，在所述隧穿氧化层表面制备所述掺杂多晶硅层； 步骤S4，对所述掺杂多晶硅层的背面进行反应离子刻蚀，以在所述掺杂多晶硅层的表面形成所述次级陷光结构，再在所述次级陷光结构表面制备所述背面钝化膜； 步骤S5，在所述p+发射极表面制备所述正面钝化减反膜，再进行金属化处理，以在所述p+发射极的表面形成延伸至所述正面钝化减反膜外的所述正面电极，并在所述掺杂多晶硅层的次级陷光结构表面形成延伸至所述背面钝化膜外的所述背面电极。

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