联华电子股份有限公司周玲君获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利横向扩散金属氧化物半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706164B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110935538.1，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权横向扩散金属氧化物半导体元件是由周玲君;张宇宏;李坤宪设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本横向扩散金属氧化物半导体元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体元件，其主要包含第一栅极结构以及第二栅极结构沿着第一方向延伸于基底上，第一源极区域沿着该第一方向延伸于该第一栅极结构一侧，第二源极区域沿着该第一方向延伸于该第二栅极结构一侧，漏极区域沿着该第一方向延伸于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间，保护环围绕该第一栅极结构以及该第二栅极结构以及浅沟隔离围绕该保护环。
本发明授权横向扩散金属氧化物半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于，包含： 第一栅极结构以及第二栅极结构，沿着第一方向延伸于基底上； 第一源极区域，沿着该第一方向延伸于该第一栅极结构一侧且具有在该第一方向上彼此远离的第一端和第二端； 第二源极区域，沿着该第一方向延伸于该第二栅极结构一侧； 漏极区域，沿着该第一方向延伸于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间； 保护环，围绕该第一栅极结构以及该第二栅极结构且接触该第一源极区域，其中在该第一方向上该保护环与该第一源极区域的该第一端和该第二端彼此间隔开；以及 浅沟隔离，围绕该保护环， 其中在该横向扩散金属氧化物半导体元件的剖面结构中，该第一源极区域位于第一阱区内，该第二源极区域位于第二阱区内，该漏极区域位于第三阱区内，该第三阱区直接接触该第一阱区及该第二阱区。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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