南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司张建立获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211141166.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法是由张建立;李丹;王小兰;高江东;杨小霞;吴小明;江风益设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种清洗InGaN基LEDV型坑侧壁In的方法，该LED由衬底、N层、准备层、量子阱InGaNGaN发光层、P层组成，量子阱InGaNGaN发光层分为量子阱InGaN层、GaN盖层、量子垒GaN，GaN盖层包括平台区域和V型坑区域，GaN盖层分为两个生长阶段，即：第一生长阶段通入不含H2的气体生长GaN盖层，第二生长阶段通入含H2的气体进行清洗。这种生长方法达到清洗了量子阱InGaN层V型坑侧壁的中的In同时又保护量子阱InGaN层平台区域的In，清洗量子阱InGaN层V型坑侧壁的中的In后V型坑侧壁的禁带宽度增大，减少了电子向V型坑泄露，提高了LED发光效率。
本发明授权一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法在权利要求书中公布了：1.一种清洗InGaN基LEDV型坑侧壁In的方法，该LED由衬底、N层、准备层、量子阱InGaNGaN发光层、P层组成，量子阱InGaNGaN发光层分为量子阱InGaN层、GaN盖层、量子垒GaN层，GaN盖层位于量子阱InGaN层和量子垒GaN层之间，GaN盖层包括同一位置设置的平行于衬底的平台区域和V型坑区域，其特征在于：GaN盖层分为两个生长阶段，即：第一生长阶段通入不含H2的气体生长GaN盖层，第二生长阶段通入含H2的气体进行清洗；第一生长阶段，GaN盖层平台的生长厚度为D0，GaN盖层的V型坑侧壁生长厚度为D1，D1＜D0；GaN盖层V型坑侧壁的生长厚度D1范围在1-10A；第二生长阶段通入含H2的气体，第二生长阶段的GaN盖层的生长温度T2≥第一生长阶段的GaN盖层的生长温度T1。
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