联华电子股份有限公司李一凡获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565878B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110749340.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体元件及其制作方法是由李一凡;苏柏青;王裕夫;蔡旻桦;陈俤彬;吴志强;吴姿锦设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一金属栅极于基底上、一间隙壁环绕该金属栅极以及一第一层间介电层环绕该间隙壁，然后进行一等离子体处理制作工艺将该间隙壁转换为第一下半部以及第一上半部，进行一清洗制作工艺去除该第一上半部，再形成一第二层间介电层于该金属栅极以及该第一层间介电层上。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含： 形成金属栅极于基底上、间隙壁环绕该金属栅极、接触洞蚀刻停止层环绕该间隙壁以及第一层间介电层环绕该接触洞蚀刻停止层； 进行等离子体处理制作工艺将外扩于该间隙壁与该接触洞蚀刻停止层正上方的导电材料转换为介电部，将该间隙壁转换为第一下半部以及第一上半部，并将该接触洞蚀刻停止层转换为第二下半部以及第二上半部； 进行清洗制作工艺去除该介电部、该第一上半部与该第二上半部以形成第三凹槽；以及 形成第二层间介电层于该金属栅极和该第一层间介电层上以及该第三凹槽内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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