广州天极电子科技股份有限公司张朝文获国家专利权
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龙图腾网获悉广州天极电子科技股份有限公司申请的专利具有缓冲结构的金锡预成型焊盘的薄膜电路及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115547962B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211313157.0,技术领域涉及:H10W72/29;该发明授权具有缓冲结构的金锡预成型焊盘的薄膜电路及其制备方法是由张朝文;杨俊锋;罗育红;丁明建;韦玉丙;刘宇鹏设计研发完成,并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有缓冲结构的金锡预成型焊盘的薄膜电路及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种具有缓冲结构的金锡预成型焊盘的薄膜电路及其制备方法,涉及薄膜电路技术领域,该薄膜电路包括:薄膜电路基片、设置在所述薄膜电路基片上的功能层、设置在所述功能层上的金属缓冲层以及设置在所述金属缓冲层上的金锡预成型焊盘;所述金属缓冲层的最高熔点低于所述金锡预成型焊盘的最低熔点,且所述金锡预成型焊盘是由金锡共晶焊料制备而成;在所述薄膜电路加热过程中,当加热温度低于所述金锡预成型焊盘的最低熔点且高于所述金属缓冲层的最高熔点时,所述金属缓冲层熔化成液态金属,降低所述金锡预成型焊盘与所述功能层之间的应力,提高了焊接可靠性。
本发明授权具有缓冲结构的金锡预成型焊盘的薄膜电路及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种具有缓冲结构的金锡预成型焊盘的薄膜电路,其特征在于,包括:薄膜电路基片、设置在所述薄膜电路基片上的功能层、设置在所述功能层上的金属缓冲层以及设置在所述金属缓冲层上的金锡预成型焊盘; 所述金属缓冲层的最高熔点低于所述金锡预成型焊盘的最低熔点,且所述金锡预成型焊盘是由金锡共晶焊料制备而成; 在所述薄膜电路加热过程中,当加热温度低于所述金锡预成型焊盘的最低熔点且高于所述金属缓冲层的最高熔点时,所述金属缓冲层熔化成液态金属;所述液态金属用于降低所述金锡预成型焊盘与所述功能层之间的应力; 所述金锡预成型焊盘的熔点范围为280℃~320℃;所述金属缓冲层的最高熔点低于280℃。
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