上海积塔半导体有限公司谷东光获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种双大马士革结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547923B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211208854.X，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权一种双大马士革结构的制作方法是由谷东光;常建光设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双大马士革结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双大马士革结构的制作方法，在衬底上形成第一金属连接层和刻蚀停止层之后，形成层间介质层，在上述层间介质层中形成夹心阻挡层，该夹心阻挡层将层间介质层间隔成第一层间介质层和第二层间介质层。上述夹心阻挡层作为沟槽刻蚀的刻蚀停止层，在第二层间介质层中形成沟槽。以第二层间介质层上方的保护层以及剩余的夹心阻挡层为掩膜，继续刻蚀，形成连通第一金属连接层的通孔。夹心阻挡层的位置以及厚度均是可调的，由此可以调节在第二层间介质层中形成的沟槽的深度，相应地可以调整后续形成的通孔的深度和形貌，进而可以调节后续金属填充后的电性。夹心阻挡层作为沟槽刻蚀的停止层，可以降低不同线宽布线的负载问题。
本发明授权一种双大马士革结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种双大马士革结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一衬底，所述衬底上形成有第一金属连接层，以及形成在所述第一金属连接层上方的刻蚀停止层； 在所述衬底上方依次形成第一层间介质层、夹心阻挡层、第二层间介质层及保护层； 刻蚀所述保护层及第二层间介质层，刻蚀停止在所述夹心阻挡层形成沟槽； 在所述沟槽对应的位置处刻蚀所述夹心阻挡层及所述第一层间介质层，刻蚀停止在第一层间介质层中并不刻穿第一层间介质层，以在第一层间介质层中形成通孔开口； 以所述保护层及所述夹心阻挡层为掩膜，沿所述通孔开口继续刻蚀所述第一层间介质层及所述刻蚀停止层，直至暴露所述第一金属连接层，形成通孔。
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