深圳市芯波微电子有限公司刘辉获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市芯波微电子有限公司申请的专利电流镜电路、放大器和电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115525096B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211323363.X,技术领域涉及:G05F3/26;该发明授权电流镜电路、放大器和电子设备是由刘辉;刘晓渝;周海牛;陈涛设计研发完成,并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本电流镜电路、放大器和电子设备在说明书摘要公布了:本申请涉及一种上述电流镜电路、放大器和电子设备,该电流镜电路包括共源单元、共栅单元、第一负载、第二负载和反馈电路,反馈电路用于为共栅单元提供偏置。共源单元包括第一晶体管和第二晶体管,共栅单元包括第三晶体管和第四晶体管;第一晶体管的栅极、第二晶体管的栅极和第三晶体管的漏极分别接入输入电流;第一晶体管的漏极连接第三晶体管的源极,第一晶体管的源极连接第一负载;第三晶体管的栅极和第四晶体管的栅极分别连接反馈电路;第二晶体管的源极连接第二负载,第二晶体管的漏极连接第四晶体管的源极,第四晶体管的漏极提供输出电流。从而电流镜电路在输入电流范围变化较大时仍有高的电流镜精度。
本发明授权电流镜电路、放大器和电子设备在权利要求书中公布了:1.一种电流镜电路,其特征在于,包括:共源单元、共栅单元、第一负载、第二负载和反馈电路,所述反馈电路用于快速响应调整所述共栅单元的栅极电压,从而调整共源单元的源漏电压,使共源单元和共栅单元在输入电流变化时仍在饱和区; 所述共源单元包括第一晶体管和第二晶体管,所述共栅单元包括第三晶体管和第四晶体管;所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极和所述第三晶体管的漏极分别接入输入电流;所述第一晶体管的漏极连接所述第三晶体管的源极,所述第一晶体管的源极连接所述第一负载;所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极分别连接所述反馈电路;所述第二晶体管的源极连接所述第二负载,所述第二晶体管的漏极连接所述第四晶体管的源极,所述第四晶体管的漏极提供输出电流; 其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为NMOS管;所述第一晶体管的源极通过所述第一负载接地,所述第二晶体管的源极通过所述第二负载接地;所述反馈电路包括电流源和第五晶体管;所述电流源的正极连接电源,所述电流源的负极分别与所述第五晶体管的源极、所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极连接;所述第五晶体管的栅极与所述第一晶体管的源极连接,所述第五晶体管的漏极接地。
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