上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司卢建卫获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利光刻机台上片偏差补偿值计算方法、计算装置及补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115509094B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211311709.4，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光刻机台上片偏差补偿值计算方法、计算装置及补偿方法是由卢建卫设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻机台上片偏差补偿值计算方法、计算装置及补偿方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光刻机台上片偏差补偿值计算方法、计算装置及补偿方法，所述计算方法包括提供标准晶圆片和标准光罩，其中，所述标准光罩上设置有曝光图形；通过所述标准光罩上的所述曝光图形对所述标准晶圆片进行曝光刻蚀处理，以在所述标准晶圆片上形成多个位于同一条直线上的标记区；通过所述标准光罩对所述标准晶圆片的所述标记区进行曝光显影处理，以在所述标准晶圆片的每一个所述标记区上形成曝光区；获取每一个所述标记区与对应位置的所述曝光区之间的一级偏差值；根据所述一级偏差值计算出光刻机台的补偿值。本发明能够根据补偿值校准光刻机台和晶圆片之间的差异性，快速解决各个晶圆工厂之间上片偏差的问题。
本发明授权光刻机台上片偏差补偿值计算方法、计算装置及补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻机台上片偏差补偿值计算方法，其特征在于，包括： 提供晶圆片和标准光罩，其中，所述标准光罩上设置有曝光图形； 通过所述标准光罩上的所述曝光图形对所述晶圆片进行光刻刻蚀处理，以在所述晶圆片上形成多个位于同一条直线上的标记区，以形成标准晶圆片； 将所述标准晶圆放入光刻机台中，通过所述标准光罩上的所述曝光图形对所述标准晶圆片进行光刻处理，以在所述标准晶圆片上对应形成多个曝光区； 获取每一个所述标记区与对应位置的所述曝光区之间的一级偏差值； 根据所述一级偏差值计算出所述光刻机台的补偿值，包括：对位于多个所述标记区中间位置的所述标记区与对应的所述曝光区进行校准处理；根据所述一级偏差值计算校准对齐之后的其余所述标记区与对应的所述曝光区之间的二级偏差值；根据所述二级偏差值计算所述补偿值。
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