成都天成电科科技有限公司刘伟获国家专利权
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龙图腾网获悉成都天成电科科技有限公司申请的专利一种可控通断的微带耦合电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211248369.5，技术领域涉及：H01P5/12；该发明授权一种可控通断的微带耦合电路是由刘伟;刘强;郭齐设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可控通断的微带耦合电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种可控通断的微带耦合电路，应用于电子通信技术领域，包括：通过在微带耦合线上引入导通可控的电阻元件，并通过电压源控制电阻元件的导通，当电阻元件导通时，输入端输入的信号直接通过导通元件发射向地面，实现微带耦合电路的关态，当电阻元件未导通时，输入端输入的信号通过输出端发射，实现微带耦合电路的开态，以此实现对微带耦合电路的开关控制，且相比于现有技术，本申请将开关控制电路集成在微带耦合电路上，方便小型化设计，且本申请的开关控制电路结构简单，复杂度低。
本发明授权一种可控通断的微带耦合电路在权利要求书中公布了：1.一种可控通断的微带耦合电路，其特征在于，包括： 第一微带耦合传输线、第二微带耦合传输线、输入端以及输出端； 所述第一微带耦合传输线以及第二微带耦合传输线并列设置，所述输入端设置于第一微带耦合传输线的一端，所述输出端设置于第二微带耦合传输线远离输入端的一端，形成中心对称结构； 所述第一微带耦合传输线远离输入端的一端连接有导通可控的电阻元件的一端，所述导通可控的电阻元件的另一端接地； 所述导通可控的电阻元件采用FET晶体管； 所述FET晶体管的漏极与第一微带耦合传输线远离输入端的一端连接，所述FET晶体管的栅极连接电压源，所述FET晶体管的源极接地； 还包括：电压源； 所述电压源用于为导通可控的电阻元件提供电压； 还包括：隔直电容； 所述隔直电容的一端与第一微带耦合传输线远离输入端的一端连接，所述隔直电容的另一端与FET晶体管的漏极连接； 还包括：微带线； 所述微带线的一端与隔直电容的另一端连接，使得微带线与所述FET晶体管并联，所述微带线的另一端接地。
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