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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458593B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211318477.5，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件是由陈伟中;魏子凯;林徐葳设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括衬底、埋氧层、漂移区、P型埋层、普通MOS区、自偏置PMOS区以及阳极区。衬底、埋氧层、漂移区自下而上依次设置，P型埋层设置在漂移区内，被漂移区完全包裹。普通MOS区与自偏置PMOS区相邻，阳极区位于器件的右上侧。本发明通过集成自偏置PMOS区域能够在阳极电压增加时，降低器件的饱和电流；在器件关断时降低器件的关断损耗；在短路工作时提高器件的短路工作特性。

本发明授权一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件，包括漂移区3、埋氧层4、衬底5、P型埋层14和阳极区，所述衬底5、埋氧层4和漂移区3自下而上依次设置；所述P型埋层14被漂移区3完全包裹；所述阳极区的上方与右侧与LIGBT器件平齐，其左侧和下方与漂移区3相邻；其特征在于：该器件还包括阴极P+区1、阴极P-well区2、阴极N+区6、普通MOS氧化层7、普通MOS多晶硅栅极8、阴极MOS-P区9、PMOS多晶硅栅极10和PMOS氧化层11； 所述阴极P+区1与阴极N+区6相邻，且两者均位于阴极P-well区2上方；所述阴极P-well区2下方与漂移区3相邻；所述普通MOS氧化层7左侧与阴极N+区6和阴极P-well区2相邻，下方与漂移区3相邻，右侧与P型埋层14和自偏置PMOS区15相邻；所述普通MOS多晶硅栅极8位于普通MOS氧化层7中，被普通MOS氧化层7完全包裹；所述阴极MOS-P区9位于普通MOS氧化层7和PMOS氧化层11之间；所述PMOS氧化层11右侧与漂移区3相邻，下方与P型埋层14相邻；所述PMOS多晶硅栅极10位于PMOS氧化层11中，被PMOS氧化层11完全包裹； 所述阴极P+区1、阴极P-well区2、阴极N+区6、普通MOS氧化层7、普通MOS多晶硅栅极8以及部分的漂移区3组成普通MOS区16； 所述阴极MOS-P区9、PMOS多晶硅栅极10、PMOS氧化层11以及部分的漂移区3和P型埋层14组成自偏置PMOS区15；所述阴极MOS-P区9和PMOS多晶硅栅极10均与阴极电极相连。

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