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龙图腾网获悉普冉半导体(上海)股份有限公司申请的专利位线选通信号驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115359818B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211032820.X，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权位线选通信号驱动电路是由金晓明;汪齐方设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本位线选通信号驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种位线选通信号驱动电路，通过改变输出缓冲电路结构，低压模式下，由输出缓冲电路的PMOS输出高电平，电平翻转电路的NMOS输出低电平；高压模式下，输出缓冲电路的PMOS关断，直接由电平翻转电路驱动输出；在不明显降低电平翻转电路翻转速度的前提下，消除电平翻转电路电压翻转时PMOS和NMOS之间同时导通存在的瞬时串通电流，达到电平翻转过程中低翻转电流的目的，降低了位线选通信号驱动电路的功耗，提升了位线选通信号驱动电路的性能。

本发明授权位线选通信号驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种位线选通信号驱动电路，其特征在于，其包括电平翻转电路及输出缓冲电路； 所述电平翻转电路包括第零PMOS管MP00、第一PMOS管MP01、第二PMOS管MP02、第三PMOS管MP03、第零NMOS管MN00、第一NMOS管MN01及反相器INV； 第零PMOS管MP00的漏端接第二PMOS管MP02的源端； 第二PMOS管MP02的漏端、第零NMOS管MN00的漏端及第一PMOS管MP01的栅端同接第一翻转节点OUT； 第一PMOS管MP01的漏端接第三PMOS管MP03的源端； 第三PMOS管MP03的漏端、第一NMOS管MN01的漏端及第零PMOS管MP00的栅端同接第二翻转节点OUTB； 第三PMOS管MP03的栅端、第一NMOS管MN01的栅端极及反相器INV的输入端同接输入信号IN； 第二PMOS管MP02的栅端、第零NMOS管MN00的栅端及反相器INV的输出端同接第三翻转节点INB； 第零NMOS管MN00、第一NMOS管MN01源端接地； 第零PMOS管MP00及第一PMOS管MP01的源端接电源Power； 输出缓冲电路包括第十四PMOS管MP14及第十五PMOS管MP15； 第十四PMOS管MP14的漏端接第十五PMOS管MP15源端； 第十五PMOS管MP15漏端接第一翻转节点OUT； 第一翻转节点OUT作为位线选通信号驱动电路的输出端； 第十四PMOS管MP14的栅端及第十五PMOS管MP15的栅端，其中一个接第三翻转节点INB，另一个用于接高压隔离信号HVISO； 第十四PMOS管MP14的源端，用于接输出缓冲电路工作电压； 低压模式下，电源Power等于工作电源VCC，高压隔离信号HVISO为低电平； 高压模式下，电源Power是高压电源，高压隔离信号HVISO为高电平；高压电源高于工作电源VCC。

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