吉林华微电子股份有限公司白金获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林华微电子股份有限公司申请的专利光刻版框架及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115308984B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211072477.1，技术领域涉及：G03F1/64；该发明授权光刻版框架及其制造方法是由白金;张德治;赵一铭;马占良;尚彦超设计研发完成，并于2022-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻版框架及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种光刻版框架及光刻版框架制造方法，涉及半导体制造技术领域。本发明基于不同光刻机的不同视场，引入子框架单元概念，根据各个不同的光刻机视场分别在横向和纵向可排布的芯粒数量的最大公约数确定最小框架单元的尺寸，再将子框架单元通过在横向和纵向平移复制的方式得到最终的光刻版框架。如此，可以在不牺牲光刻机使用的最大曝光视场的前提下，通过光刻版框架的优化，实现高自由度的不同视场光刻机之间的匹配使用。不同视场光刻机匹配使用过程中不需要进行复杂的计算，按照各自的框架进行程序编辑即可，进而使得本申请的光刻版框架的实用性更强，可以跨多个曝光视场匹配使用光刻机，使得光刻机产能利用率能够得到有效的提升。
本发明授权光刻版框架及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻版框架，适用于至少两种具有不同曝光视场面积的光刻机，其特征在于，所述光刻版框架包括阵列排列的S*T个子框架单元，其中： 至少两种所述光刻机中的第k种光刻机的曝光视场面积被定义为Sk=Ak*Bk，Ak为所述第k种光刻机的曝光视场的宽度尺寸，Bk为所述第k种光刻机的曝光视场的长度尺寸，所述第k种光刻机的曝光视场可容纳的芯粒区域数量为Nk=Nxk*Nyk，Nxk=ITNAkx，Nyk=ITNBky，x为所述芯粒区域的宽度尺寸，y为所述芯粒的长度尺寸； 所述子框架单元的宽度尺寸为Nx*x，子框架单元的长度尺寸为Ny*y，所述Nx为Nxk的最大公约数，Ny为Nyk的最大公约数； 所述光刻版框架的宽度为Nx*x*S且Nx*x*S＜Ak，所述光刻版框架的长度为Ny*y*T且Ny*y*T＜Bk。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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