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龙图腾网获悉乂馆信息科技(上海)有限公司申请的专利一种具有栅极结构的增强型HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274837B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210917887.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种具有栅极结构的增强型HEMT器件是由姜涛设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有栅极结构的增强型HEMT器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有栅极结构的增强型HEMT器件，包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、栅极、源极和漏极，其中，衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层自下而上依次设置；栅极包括第一栅极部分和多个第二栅极部分，多个第二栅极部分并列设置且均从势垒层的上表面延伸至沟道层内部；第一栅极部分设置在多个第二栅极部分上方以及相邻第二栅极部分之间，并与多个第二栅极部分共同形成梳状的栅极结构；所述第一栅极部分与所述多个第二栅极部分接触或者间隔设置。该HEMT器件可以获得更高的2DEG载流子密度，减小表面缺陷对沟道层的影响进而减小电流崩塌效应，还可以减少顶部栅极的阈值电压漂移问题，进一步提高阈值电压。

本发明授权一种具有栅极结构的增强型HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种具有栅极结构的增强型HEMT器件，其特征在于，包括衬底层1、缓冲层2、沟道层3、势垒层4、栅极5、源极6和漏极7，其中， 所述衬底层1、所述缓冲层2、所述沟道层3和所述势垒层4自下而上依次设置，所述势垒层4的上表面未被所述源极6和所述漏极7覆盖的区域设置有介质层8； 所述栅极5包括第一栅极部分51和多个第二栅极部分52，所述多个第二栅极部分52并列设置且均从所述势垒层4的上表面延伸至所述沟道层3内部，并且，所述多个第二栅极部分52的上表面均与所述介质层8的下表面接触，所述第一栅极部分51设置在所述多个第二栅极部分52上方以及相邻所述第二栅极部分52之间，并且，所述第一栅极部分51的下表面与所述介质层8的上表面接触；或者，所述栅极5包括第一栅极部分51和多个第二栅极部分52，并且，所述第一栅极部分51的下表面包括向下延伸的多个突出部，每个突出部对应延伸到相邻所述第二栅极部分52之间的所述介质层8中，所述多个第二栅极部分52并列设置，并且每个第二栅极部分52的上半部分设置在所述介质层8内部且位于所述第一栅极部分51的相邻突出部之间，每个第二栅极部分52的下半部分从所述势垒层4的上表面延伸至所述沟道层3内部，并且，所述第一栅极部分51和所述多个第二栅极部分52通过所述介质层8间隔开，每个第二栅极部分52为独立引出的栅极。

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