长鑫存储技术有限公司欧汉司获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种缺陷检测方法、装置以及设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115266745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210693198.0，技术领域涉及：G01N21/95；该发明授权一种缺陷检测方法、装置以及设备和存储介质是由欧汉司;翟玉龙设计研发完成，并于2022-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种缺陷检测方法、装置以及设备和存储介质在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种缺陷检测方法、装置以及设备和存储介质。所述检测方法包括：提供半导体待测器件，所述半导体待测器件包括多个待测单元；将所述半导体待测器件设置在激光镜头的视场内，对所述待测单元进行第一电性检测，以得到所述待测单元在室温下的第一检测值以及所述待测单元在所述激光镜头扫描下的第二检测值；根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷。
本发明授权一种缺陷检测方法、装置以及设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种缺陷检测方法，其特征在于，所述检测方法包括： 提供半导体待测器件，所述半导体待测器件包括多个待测单元； 将所述半导体待测器件设置在激光镜头的视场内，对所述待测单元进行第一电性检测，以得到所述待测单元在室温下的第一检测值以及所述待测单元在所述激光镜头扫描下的第二检测值； 根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷； 其中，所述第一检测值与所述第二检测值为预充电的断电模式的电流； 其中，对所述待测单元进行第一电性检测，以得到所述待测单元在所述激光镜头扫描下的第二检测值，包括： 若所述待测单元的所述第一检测值大于第一预设检测值，则确定所述待测单元为怀疑单元； 通过所述激光镜头对所述怀疑单元进行激光束扫描，得到所述怀疑单元的第二检测值。
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