苏州长瑞光电有限公司李加伟获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州长瑞光电有限公司申请的专利垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207774B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210747428.7，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器是由李加伟;严磊设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器制备方法，所述垂直腔面发射激光器以100晶面GaAs为衬底材料；该制备方法包括：湿法氧化步骤，用于将DBR中的一层或多层高铝层的外圈区域作为目标氧化区域，将其氧化为氧化铝，并在所述一层或多层高铝层的中间区域形成未被氧化的氧化孔；该制备方法还包括：在湿法氧化步骤前的离子注入步骤，用于通过离子注入的方式使得目标氧化区域中的部分区域形成具有离子注入损伤的缺陷区，并基于缺陷区与目标氧化区域中的其他区域之间的湿氧化速率差异，使得经湿法氧化步骤所生成的氧化孔为非圆形的氧化孔。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器。本发明在保证了VCSEL激光器性能的同时，可大幅降低生产成本和芯片切割难度。
本发明授权垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器制备方法，所述垂直腔面发射激光器以100晶面GaAs为衬底材料；所述制备方法包括：湿法氧化步骤，用于将DBR中的一层或多层高铝层的外圈区域作为目标氧化区域，将其氧化为氧化铝，并在所述一层或多层高铝层的中间区域形成未被氧化的氧化孔；其特征在于，所述制备方法还包括：在湿法氧化步骤前的离子注入步骤，用于通过离子注入的方式使得目标氧化区域中的部分区域形成具有离子注入损伤的缺陷区，并基于缺陷区与目标氧化区域中的其他区域之间的湿氧化速率差异，使得经湿法氧化步骤所生成的氧化孔为非圆形的氧化孔。
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