爱思开海力士有限公司李熙烈获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114974379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111054688.8，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法是由李熙烈;李廷洙设计研发完成，并于2021-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法。半导体存储器设备包括存储器块、外围电路和控制逻辑。存储器块包括多个串组，该多个串组分别连接到多个源极选择线之中的对应源极选择线。外围电路被配置成执行将数据存储在存储器块内的编程操作。控制逻辑控制外围电路的编程操作。多个源极选择线被分组为多个源极选择线组。控制逻辑控制外围电路，以将多个源极选择线组之中的第一源极选择线组的电压增加到第一电平，第一源极选择线组包括连接到被选择的串组的源极选择线。
本发明授权半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器设备，包括： 存储器块，包括多个串组，所述多个串组分别连接到多个源极选择线之中的对应源极选择线； 外围电路，被配置成执行将数据存储在所述存储器块内的编程操作；以及 控制逻辑，被配置成控制所述外围电路的所述编程操作， 其中所述多个源极选择线被分组为多个源极选择线组，所述多个源极选择线组至少包括第一源极选择线组和第二源极选择线组， 所述第一源极选择线组至少包括第一源极选择线和第二源极选择线，并且 所述控制逻辑控制所述外围电路：将所述多个源极选择线组之中的所述第一源极选择线组的电压增加到第一电平，所述第一源极选择线组包括连接到被选择的串组的所述第一源极选择线和连接到未被选择的串组的所述第二源极选择线；将验证电压施加到与所述存储器块连接的字线之中的被选择的字线；并且将验证通过电压施加到未被选择的字线。
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