长电微电子(江阴)有限公司周青云获国家专利权
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龙图腾网获悉长电微电子(江阴)有限公司申请的专利芯片封装体及封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223928823U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423209259.5，技术领域涉及：H10W74/10；该实用新型芯片封装体及封装结构是由周青云;郭良奎;董佳瑜设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装体及封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种芯片封装体及封装结构，芯片封装体包括：中介层；多颗芯片，倒装设置在中介层上，芯片正面朝向中介层，且相邻两个芯片之间具有间隔；底部填充胶，填充在芯片与中介层之间以及相邻两个芯片之间，并覆盖芯片的部分侧壁，且覆盖芯片侧壁的底部填充胶的至少部分区域具有沟槽；塑封层，覆盖中介层、芯片以及底部填充胶，且填充满沟槽。在本实用新型提供的芯片封装体中，底部填充胶与塑封层构成复合结构，该种复合结构减少了底部填充胶的厚度，且芯片与复合结构之间的应力差小于芯片与底部填充胶之间的应力差，克服了芯片的侧壁与底部填充胶发生分层的缺陷。
本实用新型芯片封装体及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装体，其特征在于，包括： 中介层； 多颗芯片，倒装设置在所述中介层上，所述芯片正面朝向所述中介层，且相邻两个所述芯片之间具有间隔； 底部填充胶，填充在所述芯片与所述中介层之间以及相邻两个所述芯片之间，并覆盖所述芯片的部分侧壁，且覆盖所述芯片侧壁的所述底部填充胶的至少部分区域具有沟槽； 塑封层，覆盖所述中介层、所述芯片以及所述底部填充胶，且填充满所述沟槽； 所述底部填充胶包括内部区域与边缘区域，其中，将填充在相邻的两个所述芯片之间的所述底部填充胶所在的区域定义为所述底部填充胶的内部区域，将覆盖所述芯片未与其它所述芯片相邻的侧面的所述底部填充胶所在的区域定义为所述底部填充胶的边缘区域，在至少部分所述内部区域和至少部分所述边缘区域，所述底部填充胶具有所述沟槽。
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