重庆万国半导体科技有限公司张嘉鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆万国半导体科技有限公司申请的专利一种分离栅超结IGBT器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223928702U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520217925.5，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种分离栅超结IGBT器件是由张嘉鑫;胡玮;唐宇设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种分离栅超结IGBT器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种分离栅超结IGBT器件，包括第一P+层和设置在第一P+层上的外延层，所述外延层的上部通过注入形成有P型基区，所述P型基区的下方沿第一方向周期性设置有P柱和N柱，所述P柱和N柱的上端均与P型基区相连；所述N柱的上方设置有分离栅结构，在相邻两个分离栅结构之间，在所述P型基区上依次注入形成有N型基区和第二P+区；所述第一P+层的下端设置有背面金属，所述分离栅结构和第二P+区上端设置有发射极金属。本实用新型中，可以在器件关断时形成额外的空穴抽取通道，加快电流关断，降低关断损耗；还可以降低米勒电容，减少开关损耗。
本实用新型一种分离栅超结IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种分离栅超结IGBT器件，其特征在于：包括第一P+层和设置在第一P+层上的外延层，所述外延层的上部通过注入形成有P型基区，所述P型基区的下方沿第一方向周期性设置有P柱和N柱，所述P柱和N柱的上端均与P型基区相连；所述N柱的上方设置有分离栅结构，在相邻两个分离栅结构之间，在所述P型基区上依次注入形成有N型基区和第二P+区；所述第一P+层的下端设置有背面金属，所述分离栅结构和第二P+区上端设置有发射极金属。
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