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龙图腾网获悉常州承芯半导体有限公司申请的专利体声波谐振装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223928293U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520172740.7，技术领域涉及：H03H9/17；该实用新型体声波谐振装置是由杨新宇;罗萍;范道雨;邹雅丽设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本体声波谐振装置在说明书摘要公布了：一种体声波谐振装置，包括：声反射层；第一电极层，其包括第一谐振部、第一衰减部和第一限制部；压电层；第二电极层，其包括第二谐振部；谐振区，谐振区包括第一谐振部、第二谐振部、以及两者之间的压电层；第一介质层，其包括第一介质部和第二介质部；第一负载层，对应第一限制部与第二介质部；谐振区外侧的第一衰减区；第一衰减区外侧的第一限制区；第一负载层边缘与第一介质部边缘之间间距为0.5微米至5微米。一阶横向模态可以先通过第一衰减区而不受影响，然后在第一限制区充分反射回到谐振区，降低横向漏波；进入第一衰减区的高阶横向寄生模态会经历衰减，仅少量甚至没有高阶横向寄生模态进入第一限制区，以此可以提升并联阻抗值及相应Q值。

本实用新型体声波谐振装置在权利要求书中公布了：1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括： 声反射层； 第一电极层，所述第一电极层包括第一谐振部、位于所述第一谐振部外侧的第一衰减部，所述第一衰减部围绕所述第一谐振部、以及位于所述第一衰减部外侧的第一限制部，所述第一限制部围绕所述第一衰减部； 压电层，所述压电层包括第一侧及与所述第一侧相对的第二侧，所述第一电极层位于所述第一侧，所述声反射层位于所述第一侧或所述第二侧； 第二电极层，所述第二电极层位于所述第二侧，所述第二电极层对应所述第一电极层，所述第二电极层包括第二谐振部，所述第二谐振部对应所述第一谐振部； 谐振区，所述谐振区包括所述第一谐振部、所述第二谐振部、以及位于所述第一谐振部和所述第二谐振部之间的所述压电层； 第一介质层，所述第一介质层位于所述第一侧，所述第一介质层包括第一介质部和第二介质部，所述第一介质部位于部分所述第一衰减部和所述压电层之间，所述第二介质部位于所述第一限制部和所述压电层之间； 第一负载层，所述第一负载层位于所述第一侧，所述第一负载层对应所述第一限制部与所述第二介质部； 位于所述谐振区外侧的第一衰减区，用于衰减声波，所述第一衰减区围绕所述谐振区，所述第一衰减区包括第一衰减部和所述第一介质部； 位于所述第一衰减区外侧的第一限制区，用于反射声波，所述第一限制区围绕所述第一衰减区，所述第一限制区包括第一限制部、所述第二介质部与所述第一负载层；其中，所述第一负载层靠近所述谐振区的边缘与所述第一介质部靠近所述谐振区的边缘之间具有第一间距尺寸，所述第一间距尺寸的范围为0.5微米至5微米。

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