珠海冠宇电池股份有限公司陈仕炎获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海冠宇电池股份有限公司申请的专利一种电池获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223927392U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520430596.2,技术领域涉及:H01M10/052;该实用新型一种电池是由陈仕炎;牛亚婷;朱留涛;杨崇毅;何伊;盛东辉设计研发完成,并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电池在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种电池,包括第一极片,第一极片包括凹凸区和沿第一方向设于凹凸区至少一侧边缘的避空区;凹凸区形成有第一凹坑和第二凹坑,第一凹坑沿第二方向分布于凹凸区的边缘;在第一方向上,第一凹坑设于避空区与第二凹坑之间;第一凹坑在第三方向上的深度和第二凹坑在第三方向上的深度满足:H=H1‑H2,H≤10um,其中,H1为第一凹坑在第三方向上的深度,H2为第二凹坑在第三方向上的深度,H为第一凹坑与第二凹坑在第三方向上的深度差值;第一方向、第二方向及第三方向两两相互垂直;第一极片的凹坑高度一致性较好,第一极片的界面更平整,边缘应力得到释放,防止第一凹坑破裂,避免第一极片的边缘出现析锂,提高电池的安全性。
本实用新型一种电池在权利要求书中公布了:1.一种电池,其特征在于,包括第一极片1,所述第一极片1包括凹凸区11和沿第一方向设于所述凹凸区11至少一侧边缘的避空区12;所述凹凸区11形成有第一凹坑111和第二凹坑112,所述第一凹坑111沿第二方向分布于所述凹凸区11的边缘;在所述第一方向上,所述第一凹坑111设于所述避空区12与所述第二凹坑112之间; 所述第二凹坑112的外侧周长大于所述第一凹坑111的外侧周长;和或,所述第二凹坑112的体积大于所述第一凹坑111的体积; 所述第一凹坑111在第三方向上的深度和所述第二凹坑112在所述第三方向上的深度满足:H=H1‑H2,H≤10um,其中,H1为所述第一凹坑111在所述第三方向上的深度,H2为所述第二凹坑112在所述第三方向上的深度,H为所述第一凹坑111与所述第二凹坑112在所述第三方向上的深度差值; 所述第一方向、所述第二方向及所述第三方向两两相互垂直。
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