北京至格科技有限公司张立星获国家专利权
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龙图腾网获悉北京至格科技有限公司申请的专利一种渐变槽深倾斜光栅刻蚀系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223927352U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520486011.9，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型一种渐变槽深倾斜光栅刻蚀系统是由张立星;董文浩;冒新宇;孟祥峰设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种渐变槽深倾斜光栅刻蚀系统在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种渐变槽深倾斜光栅刻蚀系统，包括基台、第一刻蚀挡板以及离子源设备。基台与离子束刻蚀腔室内的移动组件连接，基台的侧面设置通过斜面构造体与待刻蚀基板的底面连接；第一刻蚀挡板固定在离子束刻蚀腔室内，第一刻蚀挡板内设置第一开孔区域，第一开孔区域在移动组件带动基台移动方向上的不同区域的开孔长度不同；离子源设备固定设置在离子束刻蚀腔室内，用于发射离子束，离子束的出射方向与基台的所述侧面的所在平面之间为垂直关系；本实用新型提供的渐变槽深倾斜光栅刻蚀系统可以制备得到渐变槽深倾斜光栅，将渐变槽深倾斜光栅用作光栅波导的耦出光栅时，光栅波导显示图像获得较好的色彩均一性。
本实用新型一种渐变槽深倾斜光栅刻蚀系统在权利要求书中公布了：1.一种渐变槽深倾斜光栅刻蚀系统，其特征在于，包括基台、第一刻蚀挡板以及离子源设备； 所述基台与离子束刻蚀腔室内的移动组件连接； 所述基台的侧面设置斜面构造体与待刻蚀基板的底面连接； 所述第一刻蚀挡板固定在离子束刻蚀腔室内，所述第一刻蚀挡板内设置第一开孔区域，所述第一开孔区域在移动组件带动基台移动方向上的不同区域的开孔长度不同； 所述离子源设备固定设置在离子束刻蚀腔室内，用于发射离子束，离子束的出射方向与基台的所述侧面的所在平面之间为垂直关系； 所述移动组件带动基台在离子束刻蚀腔室内移动过程中，离子源设备发射的离子束穿过第一刻蚀挡板的第一开孔区域对与移动的基台连接的待刻蚀基板的顶面进行离子束刻蚀。
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