四川六族半导体材料有限公司丁松柏获国家专利权
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龙图腾网获悉四川六族半导体材料有限公司申请的专利一种半导体材料加工用熔炉获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223925391U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520424806.7，技术领域涉及：F27B14/14；该实用新型一种半导体材料加工用熔炉是由丁松柏;冉松林;胡红军;孔东林;邓永林;冯亮;黎水莲设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体材料加工用熔炉在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体材料加工用熔炉，包括加工炉，所述加工炉的内侧安装有感应加热线圈，所述感应加热线圈的内侧设置有材料桶，还包括：所述材料桶的上侧安装有限位盖体，遮盖材料桶的上侧，减少热量逸散的效率，其中，所述限位盖体包括限位条，所述限位条的一侧安装有延伸盖，所述限位条的一侧开设有开口结构，所述限位条的开口处对应设置有封闭盖，且封闭盖与延伸盖构成转动连接。本申请至少具有以下有益效果：通过在材料桶的上侧安装限位盖体，有效减少了热量逸散，提高了加热效率，降低了能源消耗，且限位盖体中的封闭盖能够将材料桶的上侧开口封闭，避免熔融的半导体材料与外部空气接触，防止氧化反应的发生，确保材料的纯度和性能。
本实用新型一种半导体材料加工用熔炉在权利要求书中公布了：1.一种半导体材料加工用熔炉，包括加工炉1，所述加工炉1的内侧安装有感应加热线圈2，所述感应加热线圈2的内侧设置有材料桶3，其特征在于，还包括： 所述材料桶3的上侧安装有限位盖体4，遮盖材料桶3的上侧，减少热量逸散的效率，其中，所述限位盖体4包括限位条401，所述限位条401的一侧安装有延伸盖403，所述限位条401的一侧开设有开口结构，所述限位条401的开口处对应设置有封闭盖404，且封闭盖404与延伸盖403构成转动连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人四川六族半导体材料有限公司，其通讯地址为：629000 四川省遂宁市大英县新城区天平街100号A区5楼511号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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