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龙图腾网获悉丹东安顺微电子有限公司申请的专利基于Trench挖槽隔离结构的TVS保护器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398568B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511989224.4，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权基于Trench挖槽隔离结构的TVS保护器件及其制备方法是由张树宝;王研;耿智蔷设计研发完成，并于2025-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于Trench挖槽隔离结构的TVS保护器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件制造与工艺技术领域，具体涉及基于Trench挖槽隔离结构的TVS保护器件及其制备方法。包括：步骤S1：在硅基底表面光刻制备掩膜，暴露刻蚀区；步骤S2：利用ICP设备，通过毫秒级脉冲切换的循环刻蚀与钝化工艺，制备出垂直度高、侧壁光滑的高深宽比Trench结构；步骤S3：对沟槽进行多级清洗去杂，并经梯度升温退火修复晶格损伤；步骤S4：进行外延生长或绝缘介质的无空洞致密填充，形成TVS器件隔离结构。本发明减少了因界面粗糙引入的悬挂键和缺陷能级，防止了局部电场集中。

本发明授权基于Trench挖槽隔离结构的TVS保护器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于Trench挖槽隔离结构的TVS保护器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：在半导体硅基底表面进行光刻定义的掩膜制备，暴露出待刻蚀区域； 步骤S2：将带有掩膜的硅基底置于反应腔室中，通入刻蚀气体进行深硅刻蚀反应，通过循环交替的刻蚀与钝化工艺，在硅基底上制备出具有高深宽比的Trench结构； 步骤S3：对Trench结构进行多级清洗，利用超声震荡分散并去除刻蚀过程中产生的聚合物残留及微观杂质，随后进行梯度升温退火处理，修复晶格损伤并降低界面态密度； 步骤S4：在Trench结构内进行外延生长或绝缘介质填充，通过控制化学气相沉积的动力学参数，实现无空洞的致密填充，形成TVS保护器件的隔离结构； 其中，所述步骤S2中Trench结构的制备具体包括： 在电感耦合等离子体设备中，控制射频偏置功率与腔室压力，使刻蚀气体解离形成高密度等离子体；利用各向异性刻蚀向下切削硅基底，并配合侧壁钝化气体的沉积，通过毫秒级的气体脉冲切换，并采用电源同步脉冲调制模式周期性改变偏置功率，同时依据沟槽深度动态调节刻蚀气体与侧壁钝化气体的流量比，以平衡向下刻蚀速率与侧壁保护效果，最终获得垂直度高且侧壁光滑的深沟槽。

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