上海羲禾科技股份有限公司田斌获国家专利权
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龙图腾网获悉上海羲禾科技股份有限公司申请的专利光耦合结构及其集成光子芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121386085B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511972721.3，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权光耦合结构及其集成光子芯片是由田斌;辛田;冯大增设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本光耦合结构及其集成光子芯片在说明书摘要公布了：本申请提供一种光耦合结构及其集成光子芯片，该光耦合结构包括：第一硅基光子平台以及第二硅基光子平台；第一硅基光子平台包括第一光波导结构以及支撑限位结构，第二硅基光子平台包括第二光波导结构以及定位结构；第二硅基光子平台通过定位结构耦合于支撑限位结构，并设置于第一硅基光子平台上；其中，第二光波导结构位于第一光波导结构的波导延伸方向，并且第一硅基光子平台与第二硅基光子平台的硅层厚度不同，实现厚硅与薄硅平台优势互补，既保留厚硅平台低损耗和器件库成熟稳定特性，又兼顾薄硅平台高集成度优势，通过结构定位保障光信号传输的连续性，提升硅基光子器件的集成度与性能，形成高集成度、低传输损耗的光传输平台。
本发明授权光耦合结构及其集成光子芯片在权利要求书中公布了：1.一种光耦合结构，其特征在于，所述光耦合结构包括：第一硅基光子平台以及第二硅基光子平台；所述第一硅基光子平台包括第一光波导结构以及支撑限位结构，所述第二硅基光子平台包括第二光波导结构以及定位结构； 所述第二硅基光子平台通过所述定位结构耦合于所述支撑限位结构，并设置于所述第一硅基光子平台上； 其中，所述第二光波导结构位于所述第一光波导结构的波导延伸方向，并且所述第一硅基光子平台与所述第二硅基光子平台的硅层厚度不同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海羲禾科技股份有限公司，其通讯地址为：200333 上海市普陀区同普路1030号3号楼1楼110室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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