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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利绝缘介质电容检测结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121385438B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511948533.7，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权绝缘介质电容检测结构及方法是由段华建;陈冠中;朱肖肖;伍林玲;俞健设计研发完成，并于2025-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本绝缘介质电容检测结构及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种绝缘介质电容检测结构及方法,其包括衬底、形成于衬底上的共地电极和待测电容，所述待测电容位于围合结构的共地电极内，待测电容包括层叠形成的极板一、待测绝缘介质层和极板二；所述极板一边缘横向延伸形成与GSG探针的第一信号针脚对应接触的第一引出部；所述极板二边缘横向延伸形成与GSG探针的第二信号针脚对应接触的第二引出部；所述共地电极上形成有与GSG探针的接地针脚对应接触的第三引出部。其能够保证电容测量准确性，实现小尺寸、低数量级的绝缘介质电容检测结构的电容值测量。

本发明授权绝缘介质电容检测结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘介质电容检测结构，其特征在于：包括衬底1、形成于衬底1上的共地电极2和待测电容，所述待测电容位于围合结构的共地电极2内，待测电容包括层叠形成的极板一3、待测绝缘介质层4和极板二5； 所述极板一3边缘横向延伸形成与GSG探针的第一信号针脚对应接触的第一引出部31； 所述极板二5边缘横向延伸形成与GSG探针的第二信号针脚对应接触的第二引出部51； 所述共地电极2上形成有与GSG探针的接地针脚对应接触的第三引出部21； 所述第一引出部31顶面与第一信号针脚接触配合，所述第二引出部51顶面与第二信号针脚接触配合，所述第三引出部21顶面与接地针脚接触配合，且所述第一引出部31顶面、所述第二引出部51顶面和所述第三引出部21顶面位于同一平面上； 所述第一引出部31沿第一方向延伸形成，所述第二引出部51沿第二方向延伸形成； 所述第三引出部21的数量为四个，其中两个第三引出部21沿第一方向延伸形成，且第一引出部31位于两个第三引出部21的中间位置，另外两个第三引出部21沿第二方向延伸形成，且第二引出部51位于两个第三引出部21的中间位置； 所述第一方向和第二方向相反。

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