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龙图腾网获悉吉林大学;沈阳仪表科学研究院有限公司申请的专利压力传感器芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121364034B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511934910.1，技术领域涉及：G01L9/02；该发明授权压力传感器芯片及制备方法是由任向阳;高炳荣;张治国;刘宏伟;李永清;陈岐岱;李贤斌;陈念科;何方;贾文博;王卉如;丁厚伯设计研发完成，并于2025-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本压力传感器芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及压力传感器技术领域，尤其涉及一种压力传感器芯片及制备方法，通过刻蚀碳化硅外延片的p型碳化硅键合层形成金属电极开孔区、p型隔离通道及键合区；刻蚀n型碳化硅器件层形成n型隔离通道、阻条引线及n型碳化硅压敏电阻；设置二氧化硅层在p型隔离通道侧壁、n型隔离通道侧壁及楔形通孔与p型碳化硅键合层未接触的钝化区；设置金属电极层在金属电极开孔区并与n型碳化硅器件层接触；刻蚀n型碳化硅衬底的底部形成环形阶梯状压力腔体，在碳化硅封接盖板中心设置有盲槽和楔形通孔，碳化硅封接盖板键合于碳化硅外延片的顶部，以解决碳化硅压力传感器芯片难以满足高精度压力测量需求的问题。

本发明授权压力传感器芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种压力传感器芯片，其特征在于，包括：碳化硅外延片、二氧化硅层12、金属电极层14和碳化硅封接盖板； 所述碳化硅外延片包括由上到下依次连接的p型碳化硅键合层5、n型碳化硅器件层4、p型碳化硅隔离层3、n型碳化硅缓冲层2以及n型碳化硅衬底1； 所述p型碳化硅键合层5经刻蚀形成金属电极开孔区6、p型隔离通道7以及键合区8； 所述n型碳化硅器件层4经刻蚀形成n型隔离通道9、阻条引线11以及四个n型碳化硅压敏电阻10；所述n型隔离通道9设置于p型隔离通道7的底部，所述n型碳化硅压敏电阻10顶部设置有p型碳化硅键合层5； 所述二氧化硅层12设置在p型隔离通道7和n型隔离通道9的侧壁，以及楔形通孔17与p型碳化硅键合层5未接触的钝化区13； 所述金属电极层14设置在金属电极开孔区6，并与n型碳化硅器件层4接触； 所述n型碳化硅衬底1的底部经刻蚀形成环形阶梯状压力腔体15； 所述碳化硅封接盖板中心设置有盲槽16，四周设置有四个楔形通孔17，所述碳化硅封接盖板键合于碳化硅外延片的顶部。

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