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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种基底刻蚀方法及刻蚀结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121311045B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511872285.2，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权一种基底刻蚀方法及刻蚀结构是由裴凯;王兆祥;梁洁;王晓雯;刘少康;曾子菱;叶武锦;孟炜祁设计研发完成，并于2025-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基底刻蚀方法及刻蚀结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基底刻蚀方法及刻蚀结构，包括：在基底的表面上形成有机物掩膜；执行刻蚀工艺，对露出的基底表面进行刻蚀，形成高深宽比刻蚀结构；刻蚀工艺包括按第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤形成的周期性循环刻蚀步骤；第一刻蚀步骤使用第一气体包括含氟气体的等离子体中的中性粒子，对基底进行各向同性的第一刻蚀，并在形成中的高深宽比刻蚀结构内壁和有机物掩膜表面上形成聚合物层，以在进行第一刻蚀时进行保护；第二刻蚀步骤使用第二气体包括惰性气体的等离子体中的带电粒子，对内壁底部上的聚合物层进行各向异性的第二刻蚀，露出下方的基底，以再次进行第一刻蚀。本申请能简化工艺，提高选择比，提高效率。

本发明授权一种基底刻蚀方法及刻蚀结构在权利要求书中公布了：1.一种基底刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底的表面上形成多个有机物掩膜，相邻两个所述有机物掩膜之间具有第一开口； 执行刻蚀工艺，对在所述第一开口中露出的所述基底的表面进行刻蚀，在所述基底上形成高深宽比刻蚀结构； 其中，所述刻蚀工艺包括依次按第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤形成的多个周期性循环刻蚀步骤； 所述第一刻蚀步骤使用第一气体的等离子体中的中性粒子，对所述基底进行各向同性的第一刻蚀，并在形成中的所述高深宽比刻蚀结构的内壁和所述有机物掩膜的露出表面上形成聚合物层，以在进行第一刻蚀时，对所述内壁和所述有机物掩膜进行保护； 所述第二刻蚀步骤使用第二气体的等离子体中的带电粒子，对所述内壁底部上的所述聚合物层进行各向异性的第二刻蚀，在所述底部的所述聚合物层上形成第二开口，露出所述基底，以通过所述第二开口再次进行所述第一刻蚀； 所述第一气体包括含氟气体，所述第二气体包括惰性气体。

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