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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利玻璃通孔及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121311044B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511872283.3，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权玻璃通孔及其制备方法是由裴凯;王兆祥;梁洁;王晓雯;刘少康;曾子菱;叶武锦;孟炜祁设计研发完成，并于2025-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本玻璃通孔及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种玻璃通孔及其制备方法，包括：在玻璃衬底的表面上形成光刻胶掩膜；执行第一刻蚀步骤，使用滤除了带电粒子的第一气体和第二气体的等离子体，对玻璃衬底的露出表面进行各向同性的第一刻蚀，形成通孔中间结构，并在其内壁和光刻胶掩膜上形成第一聚合物层进行保护；执行第二刻蚀步骤，使用第三气体和第四气体的等离子体，对内壁底部上的第一聚合物层进行各向异性的第二刻蚀，露出下方的玻璃衬底，以再次进行第一刻蚀；重复执行第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤，在玻璃衬底上形成通孔完成结构；然后执行处理工艺。本申请能简化工艺，提高选择比，提高效率，实现更好的侧壁光滑度。

本发明授权玻璃通孔及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种玻璃通孔制备方法，其特征在于，包括： 提供玻璃衬底； 在所述玻璃衬底的表面上形成多个光刻胶掩膜，相邻两个所述光刻胶掩膜之间具有第一刻蚀窗口； 执行第一刻蚀步骤，使用滤除了带电粒子的第一气体和第二气体的等离子体，并通过所述第一刻蚀窗口，对所述玻璃衬底的露出表面进行各向同性的第一刻蚀，在所述玻璃衬底上形成通孔中间结构，并在所述通孔中间结构的内壁和所述光刻胶掩膜上形成第一聚合物层，以在进行第一刻蚀时，对所述内壁和所述光刻胶掩膜进行保护； 执行第二刻蚀步骤，使用第三气体和第四气体的等离子体，对所述内壁底部上的所述第一聚合物层进行各向异性的第二刻蚀，在所述内壁底部上形成第二刻蚀窗口，露出所述玻璃衬底，以通过所述第二刻蚀窗口再次进行所述第一刻蚀； 依次重复执行所述第一刻蚀步骤和所述第二刻蚀步骤，直至在所述玻璃衬底上形成通孔完成结构；然后，执行处理工艺，以提高形成后的所述通孔完成结构的侧壁光滑度； 其中，所述第一气体为碳氟比大于或等于1:3的碳氟类气体，所述第二气体为第一惰性气体，所述第三气体为氯基气体，所述第四气体为第二惰性气体。

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