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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利玻璃通孔结构的实现方法和玻璃通孔获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121311043B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511872280.X，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权玻璃通孔结构的实现方法和玻璃通孔是由裴凯;王兆祥;梁洁;王晓雯;刘少康;曾子菱;叶武锦;孟炜祁设计研发完成，并于2025-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本玻璃通孔结构的实现方法和玻璃通孔在说明书摘要公布了：本申请公开了一种玻璃通孔结构的实现方法和玻璃通孔，包括在玻璃材料的衬底表面上形成多个光刻胶材料的掩膜，并对掩膜表面进行第一处理；执行刻蚀工艺，对衬底进行刻蚀形成通孔，刻蚀工艺包括按第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤形成的周期性循环刻蚀步骤，第一刻蚀步骤使用第一气体的等离子体中的中性粒子，对衬底进行各向同性的第一刻蚀，并在形成中的通孔的内壁和掩膜上形成第一聚合物层进行保护，第二刻蚀步骤使用第二气体的等离子体中的带电粒子，对内壁底部上的第一聚合物层进行各向异性的第二刻蚀，使下方的衬底露出，以再次进行第一刻蚀；执行第二处理工艺。本申请能简化工艺，提高选择比，提高效率，实现更好的侧壁光滑度。

本发明授权玻璃通孔结构的实现方法和玻璃通孔在权利要求书中公布了：1.一种玻璃通孔结构的实现方法，其特征在于，包括： 提供玻璃材料的衬底； 在所述衬底的表面上形成多个光刻胶材料的掩膜，相邻两个所述掩膜之间具有第一开口； 执行刻蚀工艺，对在所述第一开口中露出的所述衬底进行刻蚀，在所述衬底上形成通孔； 其中，所述刻蚀工艺包括依次按第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤形成的多个周期性循环刻蚀步骤； 所述第一刻蚀步骤使用第一气体的等离子体中的中性粒子，对所述衬底进行各向同性的第一刻蚀，并在形成中的所述通孔的内壁和所述掩膜上形成第一聚合物层，以在进行所述第一刻蚀时，对所述内壁和所述掩膜进行保护； 所述第二刻蚀步骤使用第二气体的等离子体中的带电粒子，对所述内壁底部上的所述第一聚合物层进行各向异性的第二刻蚀，在所述内壁底部上形成第二开口，并露出所述衬底，以通过所述第二开口再次进行所述第一刻蚀； 所述第一气体为碳氟比大于或等于1:3的第一碳氟类气体，所述第二气体为第一惰性气体； 执行所述刻蚀工艺前，还使用所述刻蚀工艺含有的所述第二刻蚀步骤作为第一处理工艺，所述第一处理工艺使用所述第一惰性气体的等离子体中的带电粒子，对所述掩膜的表面进行第一处理，以降低表面粗糙度；以及，执行第二处理工艺，以提高所述通孔的侧壁光滑度。

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