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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利基于MTJ的双节点翻转自恢复的非易失性锁存器、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121306211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511862052.4，技术领域涉及：G11C11/409；该发明授权基于MTJ的双节点翻转自恢复的非易失性锁存器、芯片是由郝礼才;冯浩;赵强;朱明;彭春雨;蔺智挺;吴秀龙设计研发完成，并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于MTJ的双节点翻转自恢复的非易失性锁存器、芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路领域，特别是一种基于MTJ的双节点翻转自恢复的非易失性锁存器及其对应的抗辐照存储芯片。该非易失性锁存器包括抗辐照锁存电路、读写电路和备份恢复电路，其中，抗辐照锁存电路包括多组互为冗余且经过加固的存储节点；其中至少包括一组采用非极性加固的主存储节点，其余为冗余存储节点。读写电路用于对抗辐照锁存电路执行数据读写任务。备份恢复电路包括基本部分和复制部分。其中，基本部分通过两个磁隧道结完成数据备份并用于对主存储节点进行回存。复制部分包括多个NMOS管，并用于对冗余存储节点进行回存。本发明提升了电路的抗SNU或DNU性能，优化了电路功耗和速度，解决了现有电路性能不均衡的问题。

本发明授权基于MTJ的双节点翻转自恢复的非易失性锁存器、芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于MTJ的双节点翻转自恢复的非易失性锁存器，其特征在于，其包括： 抗辐照锁存电路，其包括多组互为冗余且经过加固的存储节点；其中至少包括一组采用非极性加固的主存储节点X1、X2，其余各组为冗余存储节点； 读写电路，其与所述抗辐照锁存电路中的各个存储节点电连接，并用于对所述抗辐照锁存电路执行数据读写任务； 备份恢复电路，其包括基本部分和复制部分；所述基本部分由4个PMOS管P13~P16,3个NMOS管N19~N21,2个传输门G2、G3以及2个磁隧道结MTJ1、MTJ2构成；P13~P16的源极接VDD； P13、P15、N19的漏极与P16、N20的栅极连接至X1；P14、P16、N20的漏极与P15、N19的栅极连接至X2；P13、P14的栅极接预充信号PRE；N19的源极与G2的输出端以及MTJ1的自由层相连；N20的源极与G3的输出端以及MTJ2的自由层相连；G2的输入端接数据写入信号D，G3的输入端接反相写入信号DN，G2、G3的控制端接写入控制信号WR；MTJ1和MTJ2的固定层与N21的漏极相连；N21的栅极接复位信号RES，源极接地； 所述复制部分包括与冗余存储节点数量对应的多个NMOS管，其中一半NMOS管的源极接X1，漏极分别接各组冗余存储节点的其中一个；另外一半NMOS管的源极接X2，漏极分别接各组冗余存储节点的另外一个；复制部分各个NMOS管的栅极均接回存使能信号TEN。

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