买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种高可靠分离平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121284995B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511841891.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种高可靠分离平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法是由何佳;陈彤;李昀佶设计研发完成，并于2025-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠分离平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高可靠分离平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成第一P型阱区、P+阱区、N型源区、低阻区、第二P型阱区；及肖特基区；淀积，形成栅极介质层；淀积金属，形成栅极金属层；淀积金属，形成第一源极金属层以及第二源极金属层，去除阻挡层，完成制备；可以有效提高器件的开关速度，增加短路时的导通电阻，有效降低短路电流密度，提高器件耐短路能力，提高器件可靠性。

本发明授权一种高可靠分离平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高可靠分离平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成第一P型阱区； 步骤3、离子注入，形成P+阱区； 步骤4、离子注入，形成N型源区； 步骤5、离子注入，形成低阻区； 步骤6、离子注入，形成第二P型阱区； 步骤7、离子注入，形成肖特基区； 步骤8、淀积，形成栅极介质层； 步骤9、淀积金属，形成栅极金属层； 步骤10、淀积金属，形成第一源极金属层以及第二源极金属层，去除阻挡层，完成制备； 在步骤3至10之前，均需要去除上一步的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔； 所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有凸起部，所述凸起部内设有第一凹槽； 所述第一P型阱区内侧面连接至所述凸起部外侧面，所述第一P型阱区下侧面连接至漂移层； 所述P+阱区下侧面连接至第一P型阱区，所述P+阱区内设有N型源区，所述N型源区一侧面以及P+阱区一侧面均连接至所述第一P型阱区； 所述低阻区设于所述第一凹槽内，所述低阻区内设有第二凹槽； 所述第二P型阱区设于第二凹槽，所述第二P型阱区内设有穿孔； 所述肖特基区设于所述穿孔内，所述肖特基区下侧面连接至所述低阻区； 所述栅极介质层下侧面分别连接N型源区、第一P型阱区、凸起部、低阻区以及第二P型阱区； 所述栅极金属层连接至所述栅极介质层； 所述第一源极金属层分别连接P+阱区以及N型源区； 所述第二源极金属层连接至肖特基区； 所述漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人泰科天润半导体科技(北京)有限公司，其通讯地址为：101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。