中南大学董健获国家专利权
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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种具有宽角度高发射率的被动超材料辐射体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121123652B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511673417.9，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种具有宽角度高发射率的被动超材料辐射体是由董健;乌日更;肖程望;王蒙;罗衡设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有宽角度高发射率的被动超材料辐射体在说明书摘要公布了：本发明属于超材料技术领域，具体涉及一种具有宽角度高发射率的被动超材料辐射体，包括多个周期性阵列分布的基础单元，所述基础单元包括从上往下依次分布的顶部介质层、第一ITO层、中间介质层、第二ITO层、底部介质层和第三ITO层；所述第一ITO层包括圆形贴片以及位于圆形贴片外围的至少2个与所述圆形贴片同圆心设置的开槽圆环；所述第二ITO层包括矩形贴片以及设置在矩形贴片上的至少2个对称设置的分枝贴片；所述被动超材料辐射体在宽带、宽角度范围内保持高发射率特性，从而有效降低目标在不同探测角下的辐射可见性。
本发明授权一种具有宽角度高发射率的被动超材料辐射体在权利要求书中公布了：1.一种具有宽角度高发射率的被动超材料辐射体，其特征是，包括多个周期性阵列分布的基础单元，所述基础单元包括从上往下依次分布的顶部介质层1、第一ITO层2、中间介质层3、第二ITO层4、底部介质层5和第三ITO层6； 所述第一ITO层2包括圆形贴片21以及位于圆形贴片21外围的2个与所述圆形贴片21同圆心设置的开槽圆环； 所述2个开槽圆环包括内开槽圆环22和外开槽圆环23，内开槽圆环22上设置有4个内槽221，外开槽圆环23上设置有4个外槽231，内槽221和外槽231位于圆形贴片21的径向轴线上；4个内槽221等距设置，4个外槽231等距设置； 所述第二ITO层4包括矩形贴片41以及设置在矩形贴片41上的至少2个对称设置的分枝贴片42；所述第一ITO层2、第二ITO层4和第三ITO层6都贴附在基板7上； 第三ITO层6完全位于基板7下方，其尺寸与基板7尺寸一致。
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