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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种高深宽比刻蚀结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121123021B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511666070.5，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权一种高深宽比刻蚀结构及其制作方法是由王士京;王兆祥;涂乐义;桂智谦;沈康;王晓雯;陈刚设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高深宽比刻蚀结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种高深宽比刻蚀结构及其制作方法，包括：在硅衬底的表面上形成多个光刻胶图形；在‑15℃以下，先执行沉积步骤，使用SF66和O22，在硅衬底和光刻胶图形上沉积聚合物层进行保护，然后执行刻蚀步骤，使用F22和NF33，对聚合物层和硅衬底进行刻蚀；依次重复执行沉积步骤和刻蚀步骤，直至在硅衬底上形成高深宽比刻蚀结构；其中，在每执行1次或2次沉积步骤至刻蚀步骤后，都在‑15℃以下，对形成中的高深宽比刻蚀结构的侧壁执行第一处理，以去除侧壁上存在且露出的凸起部的至少部分。本申请能实现在更小尺寸和更高深宽比下对侧壁的均匀保护，获得更好的侧壁光滑度，并可提升刻蚀速率。

本发明授权一种高深宽比刻蚀结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高深宽比刻蚀结构制作方法，其特征在于，包括： 提供硅衬底； 在所述硅衬底的表面上形成多个光刻胶图形； 在‑15℃以下，先执行沉积步骤，使用SF6和O2作为第一气体，在所述硅衬底和所述光刻胶图形上沉积聚合物层，以在刻蚀时对所述硅衬底和所述光刻胶图形进行保护，然后再执行刻蚀步骤，使用F2和NF3作为第二气体，对所述聚合物层和所述硅衬底进行刻蚀；依次重复执行所述沉积步骤和所述刻蚀步骤，直至在所述硅衬底上形成高深宽比刻蚀结构； 其中，在每执行1次或2次所述沉积步骤至所述刻蚀步骤后，都在‑15℃以下，对形成中的所述高深宽比刻蚀结构的侧壁执行第一处理，包括使用HBr和O2作为第三气体，去除所述侧壁上沉积的所述聚合物层的部分厚度，并与所述侧壁上存在且露出的凸起部表面的衬底材料反应，生成反应产物层，以及使用CF4和Ar作为第四气体，去除所述反应产物层，以去除至少部分的所述凸起部。

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