买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉徐州美兴光电科技有限公司申请的专利一种基于等离子体协同调控的半导体刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121096940B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511639783.2，技术领域涉及：H10P50/20；该发明授权一种基于等离子体协同调控的半导体刻蚀方法是由王刚;吴觉民;杨锤;唐棚;曾治铭;孙婷婷;刘子童设计研发完成，并于2025-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于等离子体协同调控的半导体刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体刻蚀技术领域，尤其涉及一种基于等离子体协同调控的半导体刻蚀方法，该方法通过在待刻蚀半导体上交替使用第一等离子体和第二等离子体以得到预设深宽比的若干沟槽结构，其中，第一等离子体进行刻蚀，第二等离子体进行侧壁残留物清洗；使用激光干涉测量法进行检测以获得各沟槽结构对应的刻蚀速率比和侧壁角度，根据刻蚀速率比和侧壁角度的变化情况确定对应处理，包括维持当前阶段的刻蚀和清洗参数，或根据需要调节第一等离子体对应参数，或根据需要调节第二等离子体对应参数。本发明通过针对第一等离子体和第二等离子体进行协同控制，以对各个阶段的沟槽结构进行调整，从而提升沟槽结构的均匀性和减小侧壁表面的损伤。

本发明授权一种基于等离子体协同调控的半导体刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种基于等离子体协同调控的半导体刻蚀方法，其特征在于，包括： 通入卤素气体以产生第一等离子体，以及通入含氧气体以产生第二等离子体； 交替使用所述第一等离子体和所述第二等离子体对待刻蚀半导体进行处理，其中，使用所述第一等离子体在所述待刻蚀半导体上进行刻蚀以形成预设深宽比的若干沟槽结构； 使用所述第二等离子体去除各所述沟槽结构在刻蚀过程中产生的侧壁残留物； 确定当前阶段各所述沟槽结构对应的刻蚀速率比和侧壁角度，其中，刻蚀速率比为孔底刻蚀速率与孔口刻蚀速率的比值，侧壁角度为沟槽结构的侧壁表面与所述待刻蚀半导体衬底表面的夹角； 基于所述刻蚀速率比和所述侧壁角度的变化情况判定当前阶段各所述沟槽结构对应的刻蚀过程是否符合标准，包括，根据所述侧壁角度与侧壁角度阈值的比对结果调节所述第二等离子体的入射角度，以及在调节第二等离子体的入射角度后根据重新检测到的侧壁角度与侧壁角度阈值的比对结果调节所述卤素气体的流量； 基于所述刻蚀速率比与刻蚀速率比阈值的比对结果结合所述侧壁角度与侧壁角度阈值的比对结果确定当前阶段各所述沟槽结构对应的刻蚀过程是否符合标准，其中，若所述刻蚀速率比大于第一刻蚀速率比阈值且小于或等于第二刻蚀速率比阈值，则结合所述侧壁角度与所述侧壁角度阈值的比对结果判定当前阶段各所述沟槽结构对应的刻蚀过程是否符合标准； 若所述刻蚀速率比小于或等于所述第一刻蚀速率比阈值，确定调节所述第一等离子体中所述卤素气体的流量。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人徐州美兴光电科技有限公司，其通讯地址为：221122 江苏省徐州市徐州经济技术开发区杨山路98号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。