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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种基于金刚石衬底的铌酸锂-磷化铟光电集成器的集成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121076577B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511613868.3，技术领域涉及：H01S5/024；该发明授权一种基于金刚石衬底的铌酸锂-磷化铟光电集成器的集成方法是由刘晨波;吴立枢;孙彧;钱广;孔月婵;陈堂胜设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于金刚石衬底的铌酸锂-磷化铟光电集成器的集成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于金刚石衬底的铌酸锂‑磷化铟光电集成器的集成方法，通过将多晶金刚石衬底与该集成芯片直接键合，在不影响原先器件性能的同时有效改善散热效果；针对铌酸锂、磷化铟等材料异质集成存在的热失配问题，全部制备过程在低温条件下完成，同时引入热失配平衡临时粘合层，结合低温、长时间退火处理，提升键合强度、降低界面热阻的同时，减小或者消除热失配对薄膜材料的损伤；该方法除键合工艺外未引入更多流程或复杂设计，有助于保证工艺一致性，实现多层异质晶圆材料及其制备器件层的转移。

本发明授权一种基于金刚石衬底的铌酸锂-磷化铟光电集成器的集成方法在权利要求书中公布了：1.一种基于金刚石衬底的铌酸锂‑磷化铟光电集成器的集成方法，其特征在于，包括以下步骤： S1样品准备：将金刚石衬底、磷化铟临时衬底、硅基薄膜铌酸锂以及磷化铟基光电外延片进行清洗、烘干后备用； S2一次异质键合：基于室温键合工艺，使用第一键合层将磷化铟基光电外延片的外延功能层与硅基薄膜铌酸锂的铌酸锂薄膜进行第一次异质键合； S3衬底减薄：将硅基薄膜铌酸锂的硅基衬底减薄，并做抛光处理； S4热失配平衡层临时粘合：将减薄后第一次异质键合的薄膜铌酸锂‑磷化铟键合晶圆的硅基衬底与磷化铟临时衬底通过临时粘合层进行临时粘合； S5一次退火：在N2氛围下进行退火处理； S6分离热失配平衡层材料：将临时粘合层‑磷化铟临时衬底与硅基衬底分离； S7二次异质键合：基于室温键合工艺，将减薄后的硅基薄膜铌酸锂‑磷化铟键合晶圆的硅基衬底与金刚石衬底通过第二键合层进行第二次异质键合； S8衬底去除：去除磷化铟基光电外延片的磷化铟第一衬底，露出外延功能层； S9二次退火：在Ar氛围下进行退火处理，得到基于金刚石衬底的铌酸锂‑磷化铟光电集成器件。

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