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龙图腾网获悉福建省金石能源股份有限公司申请的专利一种高精度掩膜对位的背接触电池制备方法及其电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121057352B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511596429.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种高精度掩膜对位的背接触电池制备方法及其电池是由林朝晖;林楷睿;张超华;曾清华设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高精度掩膜对位的背接触电池制备方法及其电池在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种高精度掩膜对位的背接触电池制备方法及其电池，包括：S103、对硅片背面进行抛光或二次制绒处理；S104、在硅片背面沉积本征非晶硅层；S105、采用硬质掩膜板先与硅片背面的预设第一半导体区对位，形成第一半导体层；之后将硬质掩膜板移动并与硅片背面的预设第二半导体区对位，形成第二半导体层；接着形成定位点；S106、在硅片背面沉积导电膜层；S107、采用化学刻蚀或干法刻蚀技术，通过捕捉硅片四周的定位点，精准地定位在第一半导体层与第二半导体层之间刻蚀形成隔离槽；同时形成刻蚀绝缘区。本发明能在提高掩膜对位精度的同时，保证了绝缘效果和钝化效果，提升了电池转换效率。

本发明授权一种高精度掩膜对位的背接触电池制备方法及其电池在权利要求书中公布了：1.一种高精度掩膜对位的背接触电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S101、提供双面制绒后的硅片； S102、在硅片的正面依次形成钝化层及减反层； S103、对硅片背面进行抛光或二次制绒处理； S104、在硅片背面沉积本征非晶硅层； S105、提供具有若干平行排布的第一开口区的硬质掩膜板，且硬质掩膜板的非第一开口区部分设置有镂空定位点，硬质掩膜板上设置加强筋，加强筋将第一开口区在沿其长度方向上分隔为若干开口单元； 采用硬质掩膜板先与硅片背面的预设第一半导体区对位，形成第一半导体层，同时在镂空定位点处形成第一定位层；之后将硬质掩膜板移动并与硅片背面的预设第二半导体区对位，形成第二半导体层且其与第一半导体层至少部分交替排列，同时在镂空定位点处形成第二定位层；接着对第一定位层和第二定位层进行激光刻蚀或喷墨打印，形成定位点； S106、在硅片背面沉积导电膜层； S107、采用化学刻蚀或干法刻蚀技术，通过捕捉硅片四周的定位点，精准地定位在第一半导体层与第二半导体层之间刻蚀掉对应的导电膜层形成隔离槽；同时对硅片四周的定位点处对应的导电膜层进行刻蚀，形成刻蚀绝缘区；刻蚀绝缘区的尺寸不小于对应定位点或对应镂空定位点的尺寸； S108、在硅片背面形成金属电极。

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