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龙图腾网获悉浙江工业大学申请的专利一种基于磁表面等离子的太赫兹连续超表面器件及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121050107B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511613239.0，技术领域涉及：G02B27/09；该发明授权一种基于磁表面等离子的太赫兹连续超表面器件及其应用是由楼鸿雁;沈林放设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于磁表面等离子的太赫兹连续超表面器件及其应用在说明书摘要公布了：一种基于磁表面等离子的太赫兹连续超表面器件及其应用，该器件以电不透明层、介质层、磁化半导体层从上而下依次水平叠加的单向波导为基底，通过连续函数模型调制电不透明层厚度，并在波导中引入金属片阵列形成。本发明还涉及该器件在生成艾里光束中的应用。本发明支持基于磁表面等离子的太赫兹单向传输。本发明可通过调节金属片的高度实现相位调控，还可通过连续函数模型对辐射层的厚度连续调制实现连续振幅调控。与依赖离散结构的超构表面相比，本发明能够降低能量损耗与波前失真，提升波束调控精度与稳定性。依托上述特性，本发明生成了具有自加速、无衍射和自愈性特性的一维有限艾里光束。

本发明授权一种基于磁表面等离子的太赫兹连续超表面器件及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于磁表面等离子的太赫兹连续超表面器件，用于生成具有自加速、无衍射和自愈性特性的一维有限艾里光束，其特征在于：沿单向波导传输的方向延展的电不透明层、介质层、磁化半导体层从上而下依次水平叠加，形成单向波导的基底；以单向波导传输的方向为X方向，水平面上垂直于X方向为Y方向，垂直于水平面的方向为Z方向；电不透明层、介质层、磁化半导体层在Y方向是均匀的； 所述的磁化半导体为旋电材料，在静磁场作用下，其相对介电常数转化为张量形式，赋予波导非互易特性，从而支持基于磁表面等离子的太赫兹单向传输； 所述的电不透明层作为辐射层，其底面是平的，其上表面沿X方向呈现连续函数模型的图形，使其厚度通过连续函数模型调制，所述的连续函数模型系基于辐射层厚度与辐射损耗的函数关系，并结合一维有限艾里光束的目标能量分布特征确定辐射层厚度分布，然后拟合得到辐射层的连续厚度调制函数，实现对辐射电磁波振幅的连续调控； 还包括由若干垂直于X方向的金属片相互对齐组成的金属片阵列，所述金属片从基准线开始依次穿过电不透明层及介质层，延伸至磁化半导体层，金属片的X向位置对应目标能量分布函数零点，金属片总高度与波导模式的相位调控相适配； 电不透明层的上表面是辐射面。

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