深圳大学张猛获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利薄膜晶体管存储器、制备方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511553983.6，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管存储器、制备方法及电子设备是由张猛;沈睿鹏;闫岩设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管存储器、制备方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种薄膜晶体管存储器、制备方法及电子设备，属于存储器技术领域。所述薄膜晶体管存储器包括：衬底、绝缘层、电荷捕获层、隧穿层、有源层、源极和漏极，目标电极设置于所述隧穿层背离所述电荷捕获层的一面，所述目标电极与所述有源层电性隔离，所述目标电极位于所述沟道区域的一侧；其中，所述衬底作为栅极，对所述薄膜晶体管存储器进行写入操作或擦除操作时，向所述栅极和所述目标电极施加电压。所述薄膜晶体管存储器通过在沟道区域非对称性引入目标电极，构建四端电极调控体系，通过向目标电极和栅极施加电压，调控有源层至电荷捕获层之间的电场力，向电荷捕获层注入大量空穴，有效提升擦除效率。
本发明授权薄膜晶体管存储器、制备方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管存储器，其特征在于，包括： 衬底； 绝缘层，设置于所述衬底的一面； 电荷捕获层，设置于所述绝缘层背离所述衬底的一面，所述电荷捕获层的材料包括金属氧化物； 隧穿层，设置于所述电荷捕获层背离所述绝缘层的一面； 有源层，设置于所述隧穿层背离所述电荷捕获层的一面，所述有源层的材料包括金属氧化物； 源极和漏极，设置于所述隧穿层背离所述电荷捕获层的一面，所述源极和所述漏极与所述有源层电性接触，所述源极和所述漏极之间形成沟道区域； 目标电极，设置于所述隧穿层背离所述电荷捕获层的一面，所述目标电极与所述有源层电性隔离，所述目标电极位于所述沟道区域的一侧； 其中，所述衬底作为栅极，对所述薄膜晶体管存储器进行写入操作或擦除操作时，向所述栅极和所述目标电极施加电压。
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