芯联动力科技(绍兴)有限公司李翔获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联动力科技(绍兴)有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038320B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511555002.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权高电子迁移率晶体管及其制备方法是由李翔设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，其中，高电子迁移率晶体管包括：衬底；在衬底上依次层叠的多个异质结叠层，各异质结叠层包括沟道层和在沟道层上外延生长而形成的势垒层，沟道层的至少部分靠近势垒层的区域中能够诱导出二维电子气；栅极沟槽，从最顶层异质结叠层的表面向衬底的方向延伸，至少贯穿一个异质结叠层，且栅极沟槽的底壁下方还包括至少一个未被贯穿的异质结叠层；如此，很好地平衡了器件的性能可靠性与堆叠层数之间的关系。
本发明授权高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 在所述衬底上依次层叠的多个异质结叠层，各所述异质结叠层包括沟道层和在所述沟道层上外延生长而形成的势垒层，所述沟道层的至少部分靠近所述势垒层的区域中能够诱导出二维电子气； 栅极沟槽，从最顶层异质结叠层的表面向所述衬底的方向延伸，至少贯穿一个异质结叠层，且所述栅极沟槽的底壁下方还包括至少一个未被贯穿的异质结叠层； 至少一个异质结叠层中的势垒层为BxAl1‑xN层且沟道层为AlyGa1‑yN层，其中，y=1‑kx，6≤k≤8.5,0＜kx≤1。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯联动力科技(绍兴)有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道人民东路1433号1号楼203-18；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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