杭州富芯半导体有限公司赵毅获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种硅电容器、光刻掩模版及硅电容器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038294B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511553390.X，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权一种硅电容器、光刻掩模版及硅电容器的制造方法是由赵毅;吴建波;陈海涛设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅电容器、光刻掩模版及硅电容器的制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种硅电容器，包括：在硅衬底上设置的沟槽；所述沟槽用于设置电容器结构；述沟槽在硅衬底的表面方向的布置如下：所述沟槽包括复数个纵向分布的第一类沟槽和复数个横向分布的第二类沟槽；其中，至少部分所述第一类沟槽和部分第二类沟槽贯通连接。本申请提供的硅电容器的有效面积大，能够达到更大的电容值；具有良品率高，结构简单、性能可靠的优点。
本发明授权一种硅电容器、光刻掩模版及硅电容器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种硅电容器，其特征在于，包括： 在硅衬底上设置的沟槽； 所述沟槽用于设置电容器结构； 所述沟槽在硅衬底的表面方向的布置如下： 所述沟槽包括复数个纵向分布的第一类沟槽和复数个横向分布的第二类沟槽； 其中，至少部分所述第一类沟槽和部分第二类沟槽贯通连接，包括： 所述第一类沟槽的尾端与所述第二类沟槽的首端贯通连接，且该所述第二类沟槽的尾端与另一个第一类沟槽的首端贯通连接； 复数个第二类沟槽的端部与一个第一类沟槽贯通连接，或，复数个第一类沟槽的端部与一个第二类沟槽贯通连接，包括：上述贯通连接方式形成的沟槽组合，占据电容区域的角落位置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州富芯半导体有限公司，其通讯地址为：311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号(滨富合作区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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