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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利基于掩膜图案密度的显影方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121028473B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511543572.9，技术领域涉及：G03F7/30；该发明授权基于掩膜图案密度的显影方法及装置是由李海峰;赵志豪;沈俊明设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于掩膜图案密度的显影方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于掩膜图案密度的显影方法及装置，涉及半导体领域，其方法包括：获取待显影晶圆每层掩膜中若干预设区域的掩膜图案密度，其中，所述预设区域至少表征每层掩膜中图案分布最密集的区域；在任一所述预设区域的掩膜图案密度不小于预设阈值的情况下，选用第一类显影方式对所述待显影晶圆显影；否则，选用第二类显影方式对所述待显影晶圆显影，其中，所述第一类显影方式的显影效果较所述第二类显影方式优。本发明通过设计了基于掩膜图案密度的显影方式选择方法，在半导体生产前通过简单计算即可准确选定合适的显影方式，保证产品品质同时实现成本最优。

本发明授权基于掩膜图案密度的显影方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于掩膜图案密度的显影方法，其特征在于，包括： 获取待显影晶圆每层掩膜中若干预设区域的掩膜图案密度，其中，所述预设区域至少表征每层掩膜中图案分布最密集的区域； 在任一所述预设区域的掩膜图案密度不小于预设阈值的情况下，选用第一类显影方式对所述待显影晶圆显影； 否则，选用第二类显影方式对所述待显影晶圆显影，其中，所述第一类显影方式的显影效果优于所述第二类显影方式； 所述预设区域包括每层掩膜的量测区域和关键区域，所述量测区域为掩膜上用于评估掩膜的质量、光刻工艺的精度以及芯片制造过程中的关键参数的区域； 所述获取待显影晶圆每层掩膜中若干预设区域的掩膜图案密度的步骤，具体包括： 在所述待显影晶圆每层掩膜中观察确定图案分布密集的初步区域，在所述初步区域中随机选择若干位置，将其坐标确定为关键坐标； 计算以所述关键坐标为区域中心的第二预设范围区域的掩膜图案密度； 将计算值最大的掩膜图案密度作为所述关键区域的掩膜图案密度； 其中，预先确定多个大小不同的预备范围，以量测区域的几何中心坐标作为预备范围的区域中心，分别计算所述待显影晶圆每层掩膜在每个预备范围区域的掩膜图案密度，分别得到每个预备范围对应的第一掩膜图案密度序列和每一层掩膜对应的第二掩膜图案密度序列； 在所述第二掩膜图案密度序列中筛选得到数值趋同的多个预备范围，并确定筛选的多个预备范围的第一掩膜图案密度序列； 将筛选的第一掩膜图案密度序列中数值波动最小的一组对应的预备范围确定为第一预设范围，所述第二预设范围与第一预设范围相同。

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