浙江大学张亦舒获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利基于易失性忆阻器的真随机数发生器及忆阻器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120973340B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511491719.4，技术领域涉及：G06F7/58；该发明授权基于易失性忆阻器的真随机数发生器及忆阻器制备方法是由张亦舒;罗琪;张国滨设计研发完成，并于2025-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于易失性忆阻器的真随机数发生器及忆阻器制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于随机数发生器技术领域，涉及基于易失性忆阻器的真随机数发生器及忆阻器制备方法，该方法包括：熵生成单元和比特提取单元；所述熵生成单元包括：两个以上并联的易失性忆阻器，并联的易失性忆阻器一端与输入电压相连，另一端与一个负载电阻串联后接地；所述熵生成单元在输入高电压下表现出自发的双稳态切换行为；所述比特提取单元包括一个T触发器，连接于负载电阻和并联的易失性忆阻器之间，用于采样振荡信号并生成可用的随机比特流。其有益效果是，简化了真随机数生成器电路结构，实现了高随机比特生成速率，实现了极高的能效表现。
本发明授权基于易失性忆阻器的真随机数发生器及忆阻器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于易失性忆阻器的真随机数发生器，其特征在于，包括： 熵生成单元和比特提取单元； 所述熵生成单元包括：两个以上并联的易失性忆阻器，并联的易失性忆阻器一端与输入电压相连，另一端与一个负载电阻串联后接地；所述熵生成单元在输入高电压下表现出自发的双稳态切换行为； 所述比特提取单元包括一个T触发器，连接于负载电阻和并联的易失性忆阻器之间，用于采样振荡信号并生成可用的随机比特流； 所述自发的双稳态切换行为具体为，所述熵生成单元中，在并联两个易失性忆阻器的情况下，易失性忆阻器初始处于高阻态，在输入高电压下，两个易失性忆阻器不会同时导通，开启速度较快的器件首先切换到低阻态，分压变化导致并联易失性忆阻器上的电压降至阈值开启电压以下，抑制另一易失性忆阻器的导通，且两个器件上的电压降低到保持电压以下时，先前导通的器件自发恢复至高阻态初始状态。
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