武汉衡惯科技发展有限公司黄晟获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉衡惯科技发展有限公司申请的专利集成式MEMS惯性器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120970693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511501745.0，技术领域涉及：G01C25/00；该发明授权集成式MEMS惯性器件及其制作方法是由黄晟;汪超;蒋文杰;方明设计研发完成，并于2025-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成式MEMS惯性器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成式MEMS惯性器件的制作方法以及基于该制作方法所制得的MEMS惯性器件，该制作方法包括：在ASIC晶圆上键合一空白晶圆，减薄空白晶圆，基于ASIC晶圆上的对准标记进行光刻对准，随后将空白晶圆刻蚀成器件层晶圆，得到第一键合体；在第一键合体上键合盖帽晶圆，减薄ASIC晶圆和盖帽晶圆，得到第二键合体；对第二键合体划片，得到单个MEMS惯性器件，对MEMS惯性器件执行信号引出操作。本发明中，先在ASIC晶圆上键合空白晶圆、再将空白晶圆制作成器件层晶圆，可以避免双片晶圆对准和键合操作带来的图形偏差，而且预先在ASIC晶圆上制作对准标记，基于光刻对准的精度，能够保证器件层晶圆与ASIC晶圆之间的对准精度，保证了MEMS惯性器件的产品质量和性能。
本发明授权集成式MEMS惯性器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种集成式MEMS惯性器件的制作方法，其特征在于，包括： S1，提供一ASIC晶圆； S2，在所述ASIC晶圆上键合一空白晶圆，减薄所述空白晶圆，基于所述ASIC晶圆上的对准标记进行光刻对准，随后将所述空白晶圆刻蚀成器件层晶圆，得到含有所述ASIC晶圆与所述器件层晶圆的第一键合体； 其中，基于所述ASIC晶圆上的对准标记进行光刻对准具体包括： 刻蚀所述空白晶圆的对应区域，暴露出所述ASIC晶圆上的对准标记，再采用可见光镜头进行光刻对准； S3，在所述第一键合体上键合盖帽晶圆，减薄所述ASIC晶圆和所述盖帽晶圆，得到第二键合体； S4，对所述第二键合体划片，得到单个MEMS惯性器件，对所述MEMS惯性器件执行信号引出操作。
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