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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957497B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511461965.5，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件是由刘换荣;端伟元;孙玉峰;杨洁;张昕宇设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件在说明书摘要公布了：背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件，属于光伏技术领域，背接触电池包括衬底，衬底包括第一区、第二区和位于第一区和第二区之间的间隔区，隧穿氧化层和掺杂多晶硅层设置在第一区和间隔区，掺杂多晶硅层设置在隧穿氧化层沿厚度方向背离衬底的表面，非晶硅钝化层和掺杂非晶硅层设置在第二区和间隔区，掺杂非晶硅层设置在非晶硅钝化层沿厚度方向背离衬底的表面。在间隔区非晶硅钝化层位于掺杂多晶硅层沿厚度方向背离衬底的一侧。绝缘层设置在非晶硅钝化层和掺杂多晶硅层之间，绝缘层包括沿厚度方向延伸且设置在第二区与间隔区的交界位置的第一绝缘部，第一绝缘部能够防止背接触电池沿水平方向漏电，提高背接触电池的整体电学性能。

本发明授权背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，所述背接触电池1至少包括： 衬底11，所述衬底11的背面包括第一区111、第二区112和位于所述第一区111和所述第二区112之间的间隔区113； 隧穿氧化层12和掺杂多晶硅层13设置在所述第一区111和所述间隔区113，且所述掺杂多晶硅层13设置在所述隧穿氧化层12沿所述背接触电池1的厚度方向背离所述衬底11的表面； 非晶硅钝化层14和掺杂非晶硅层15设置在所述第二区112，所述掺杂非晶硅层15设置在部分所述间隔区113，所述非晶硅钝化层14设置在部分所述间隔区113或全部所述间隔区113，所述掺杂多晶硅层13与所述掺杂非晶硅层15的导电类型相反，且所述掺杂非晶硅层15设置在所述非晶硅钝化层14沿所述背接触电池1的厚度方向背离所述衬底11的表面； 在所述间隔区113，所述非晶硅钝化层14位于所述掺杂多晶硅层13沿所述背接触电池1的厚度方向背离所述衬底11的一侧，所述间隔区113设置有隔离槽，所述隔离槽贯穿所述非晶硅钝化层14和所述掺杂非晶硅层15，或，所述隔离槽贯穿所述掺杂非晶硅层15； 绝缘层16设置在所述非晶硅钝化层14和所述掺杂多晶硅层13之间，所述绝缘层16至少包括沿所述背接触电池1的厚度方向延伸的第一绝缘部162，所述第一绝缘部162设置在所述第二区112与所述间隔区113的交界位置。

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